4 PFC CCM 升壓低側(cè)柵極驅(qū)動器示例

在功率因數(shù)校正 (PFC) 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 升壓應(yīng)用中，SiC MOSFET 可帶來顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 具備低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗的特性，使其在 1kW 以上的應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率和更高功率密度。SiC 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而為減小磁性元件體積和降低成本創(chuàng)造可能。本應(yīng)用手冊以 3kW PFC CCM 升壓電路為例，闡述低側(cè)柵極驅(qū)動器的設(shè)計考量因素。表 4-1 中列出了目標(biāo)設(shè)計參數(shù)。

本示例中選用的 SiC MOSFET 額定參數(shù)如下：650V 最大 V_DS、35A 持續(xù) I_D 額定值（T_c = 100C 時）、73nC 的總 Q_G 以及 V_GS = 20V 時的 45mΩ 典型 R_DS(on)。圖 4-1 展示了典型 PFC CCM 升壓應(yīng)用所需的元件。