ZHCAFS8 September 2025 UCC57108-Q1
人們對以更小的外形尺寸實現更高功率密度的需求推動了碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體技術的普及。傳統上,這類開關多用于 10kW 以上的大功率設計,通常需要隔離式柵極驅動器,尤其在電動汽車和充電站應用中。隨著 SiC 技術的不斷擴展,越來越多的工業客戶開始考慮將其用于小功率、非隔離式應用場景。本應用手冊概述了德州儀器 (TI) 適用于 SiC MOSFET 的非隔離式低側柵極驅動器產品組合,包括合理系統設計的關鍵考量因素及一個功率因數校正 (PFC) 設計示例。