ZHCAFS8 September 2025 UCC57102 , UCC57102-Q1 , UCC57102Z , UCC57102Z-Q1 , UCC57108 , UCC57108-Q1 , UCC57132 , UCC57132-Q1 , UCC57138 , UCC57138-Q1 , UCC57142 , UCC57142-Q1 , UCC57148 , UCC57148-Q1
人們對(duì)以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高功率密度的需求推動(dòng)了碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的普及。傳統(tǒng)上,這類開關(guān)多用于 10kW 以上的大功率設(shè)計(jì),通常需要隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,尤其在電動(dòng)汽車和充電站應(yīng)用中。隨著 SiC 技術(shù)的不斷擴(kuò)展,越來越多的工業(yè)客戶開始考慮將其用于小功率、非隔離式應(yīng)用場(chǎng)景。本應(yīng)用手冊(cè)概述了德州儀器 (TI) 適用于 SiC MOSFET 的非隔離式低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合,包括合理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵考量因素及一個(gè)功率因數(shù)校正 (PFC) 設(shè)計(jì)示例。