ZHCAFS1A February 2019 – September 2025 LM1117-Q1 , LM317 , LP2951 , LP2951-Q1 , LP2985 , TL1963A , TL1963A-Q1 , TLV1117 , TLV709 , TLV755P , TLV761 , TLV766-Q1 , TLV767 , TLV767-Q1 , TPS709 , TPS709-Q1 , TPS715 , TPS745 , TPS7A16A , TPS7A16A-Q1 , TPS7A25 , TPS7A26 , TPS7A43 , TPS7A44 , TPS7A47 , TPS7A47-Q1 , TPS7A49 , TPS7B63-Q1 , TPS7B68-Q1 , TPS7B69-Q1 , TPS7B81 , TPS7B81-Q1 , TPS7B82-Q1 , TPS7B83-Q1 , TPS7B84-Q1 , TPS7B85-Q1 , TPS7B86-Q1 , TPS7B87-Q1 , TPS7B88-Q1 , TPS7B91 , TPS7B92 , TPS7C84-Q1 , UA78L , UA78M , UA78M-Q1
LDO 在結至環境熱阻 θJA 方面的熱性能在很大程度上取決于 PCB 設計。但 PCB 對熱性能的影響最終受限于 LDO 的封裝類型。具有散熱焊盤的封裝(例如 WSON 和 TO-252 封裝)具有更強的散熱能力,因此與最壞情況的 1S0P 近似布局相比,其 θJA 整體降幅更大,分別達到 74% 和 71%。SOT-23 封裝體積更小,但仍有 54% 的顯著降低。圖 3-5 表明,與數據手冊規格相比,采用熱優化布局可使 θJA 降低 32% 至 55%。該結果表明,使用數據表中規定的 θJA 進行熱性能計算,得到的是偏保守的熱性能估算值。但設計人員需注意,高效熱布局可支持更高的工作環境溫度、更高的功耗水平,或同時兼具這兩項優勢。
圖 3-6表明,無論采用何種封裝,隨著 PCB 銅含量增加,熱性能提升會逐漸趨于飽和。對于這三款封裝,熱增強型布局的銅面積約為熱飽和型布局的一半,但其θJA 的差異在 8% 以內。同樣,通過增加散熱過孔實現的熱性能提升也會趨于飽和。從熱飽和型布局的結果可知,在 PCB 上額外增加過孔所帶來的好處很小。采用類似熱增強型布局的設計,即可實現足夠的熱性能。對于更緊湊的設計,可參見圖 3-4,該圖展示了 TLV755P (SOT-23) 的測量結果。這些結果表明,需最大限度增加頂層與底層的銅含量,因為這兩層不受額外 PCB 材料包裹,是散熱效率最高的區域。只需在器件周圍增設散熱過孔,即可將 LDO 產生的熱量有效傳導至其他銅層。在使用沒有散熱焊盤的封裝(例如 SOT-23 封裝)進行設計時,這些過孔尤為重要。在這類情況下,也可將散熱過孔直接設置在器件正下方,即熱量產生最多的區域。根據 https://www.jedec.org/system/files/docs/JESD51-9.pdf,帶有散熱焊盤的封裝需在散熱焊盤區域設置盡可能多的散熱過孔。最后,所有內部斷開布局圖 3-6 的數據表明,如果可能,必須在內層上加入額外的覆銅,即便這些銅箔未直接與 LDO 相連,也能對熱性能產生積極影響。