ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
5.2 基于 P 溝道和反極性保護控制器的解決方案的性能比較
基于 P 溝道 MOSFET 的反極性保護是工業(yè)和汽車應(yīng)用中非常常用的方案，用于實現(xiàn)低插入損耗保護解決方案。通過將 LM74500-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 結(jié)合使用來替代基于 P 溝道 MOSFET 的解決方案，可以實現(xiàn)低損耗反極性保護解決方案。與基于 P 溝道 MOSFET 的解決方案相比，基于 LM74500-Q1 的反極性保護解決方案提供更好的冷啟動性能（以低輸入電壓運行）和更小的解決方案尺寸。圖 5-2 比較了 LM74500-Q1 + N 溝道 MOSFET 與基于傳統(tǒng) P 溝道 MOSFET 的反極性保護解決方案的性能優(yōu)勢。
如圖 5-2 所示，對于給定的功率水平，LM74500-Q1 + N 溝道 MOSFET 解決方案的尺寸可以只有具有類似額定功率的 P 溝道 MOSFET 解決方案的三分之一。此外，P 溝道 MOSFET 通過將其柵極引腳拉低的簡單方法來實現(xiàn)自偏置，因此與 LM74500-Q1 相比，P 溝道 MOSFET 表現(xiàn)出較差的冷啟動性能（以低輸入電壓運行）。在電池電壓低于 4V 的嚴(yán)苛冷啟動期間，P 溝道 MOSFET 串聯(lián)電阻急劇增加，如圖 5-2 所示。這會導(dǎo)致 P 溝道 MOSFET 上的壓降更高。此外，由于柵源電壓閾值 (VT) 較高，有時關(guān)斷 P 溝道 MOSFET 會導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位。另一方面，LM74500-Q1 具有出色的嚴(yán)苛冷啟動性能。LM74500-Q1 使外部 FET 保持完全增強，即使在嚴(yán)苛冷啟動運行期間輸入電壓降至 3.2V 也是如此。
圖 5-2 基于 P 溝道 MOSFET 和 LM74500-Q1 的反極性保護解決方案的性能比較