ZHDS040 January 2026 TPS7A57-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
該器件架構(gòu)具有高度準(zhǔn)確的高精度、低噪聲電流基準(zhǔn),后跟先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 誤差放大器(在 VOUT ≥ 0.5V、10kHz 時(shí)噪聲密度為 6nV/√Hz)。與上一代 LDO 不同,該器件的單位增益配置可在整個(gè)輸出電壓范圍內(nèi)提供低噪聲。通過并聯(lián)放置多個(gè) TPS7A57-Q1 LDO,還可進(jìn)一步降低噪聲并增大輸出電流,請參閱通過并聯(lián)實(shí)現(xiàn)更高輸出電流和更低噪聲部分。