ZHDS040 January 2026 TPS7A57-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為了使內(nèi)部節(jié)點(diǎn)快速放電,該器件集成了兩個內(nèi)部下拉金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。當(dāng)器件被禁用以主動對輸出電容器放電時,第一個下拉 MOSFET 將一個電阻器 (RDIS) 從 OUT 連接到地。當(dāng)器件被禁用并對 NR/SS 電容器放電時,第二個下拉 MOSFET 將一個電阻器從 NR/SS (RNR/SS_DIS) 連接到地。兩個下拉 MOSFET 均由以下任一事件激活: