ZHCSGP0B July 2017 – June 2025 TPS7A39
PRODUCTION DATA
每個 LDO 都能快速響應(yīng)輸入電源(線路瞬態(tài))或輸出電流(負(fù)載瞬態(tài))上的瞬態(tài)。該 LDO 具有高電源抑制比 (PSRR),當(dāng)與低內(nèi)部本底噪聲 (Vn) 結(jié)合使用時,LDO 近似于交流和大信號條件下的理想電源。
此器件的性能和內(nèi)部布局大大減少了從一個通道到另外一個通道的噪聲耦合(串?dāng)_)。良好的印刷電路板 (PCB) 布局可更大限度地減少串?dāng)_。
降噪和軟啟動電容 (CNR/SS) 和前饋電容 (CFFx) 可輕松降低器件本底噪聲并改善 PSRR;有關(guān)優(yōu)化噪聲和 PSRR 性能的更多信息,請參閱優(yōu)化噪聲和 PSRR 部分。