ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
負(fù)載電容充電時,輸出電壓將斜升。在此期間,由于漏源電壓較大,因此 FET 中的功率耗散較高。功率耗散和由此導(dǎo)致的器件結(jié)溫升高會限制在器件進(jìn)入熱關(guān)斷前可充電的電容。通常,充電速率(電流)越低,可充電的電容值就越高。但是,如果使用較低的充電電流,充電時間將更長。在此處考慮的應(yīng)用案例中,F(xiàn)ET 結(jié)溫預(yù)計不會達(dá)到熱關(guān)斷閾值。