ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
AUTO_LPM 狀態提供了一種模式,在該模式下,器件可以自動轉換到低 IQ 狀態,同時根據需要保持通道導通并通過短路保護功能提供保護。根據所使用的器件版本,要進入 AUTO_LPM 狀態,DEV_CONFIG 寄存器中的 AUTO_LPM_ENTRY 位需要設置為 1,并且至少需要在 tSTBY_LPM_AUTO 時滿足以下條件:
滿足這些條件后,器件將在進入 AUTO_LPM 狀態之前更新 SDO FRAME/GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS 位和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS_1 位,以提醒系統器件已轉換為 AUTO_LPM。器件將在 tLPM_ENTRY 時進入 AUTO_LPM 狀態。
在 AUTO_LPM 狀態下,將使用更大的內部 FET 來實現更大的負載階躍。更大內部 FET 的 RON 由電氣特性部分中的 RON,LPM_AUTO 定義。與 MANUAL_LPM 狀態相比,進入 AUTO_LPM 狀態時的 IQ 將更高。在 AUTO_LPM 狀態下,進入閾值由 IENTRY_LPM_AUTO 指定,退出閾值由 IEXIT_LPM_AUTO 指定。
對于 TPS2HCS10A-Q1,MCU 或控制器可以向 AUTO_LPM_EXIT_CHx 位之一寫入 1,以手動將器件從 AUTO_LPM 狀態切換到 ACTIVE 狀態。如果 AUTO_LPM_EXIT_CHx 為 1,則會在器件處于 ACTIVE 狀態時啟用尚未啟用的相應通道。對于 TPS2HCS10A-Q1,在允許將器件轉換回 AUTO_LPM 狀態之前,兩個 AUTO_LPM_EXIT_CHx 位都必須設回 0。
對于 TPS2HCS10B-Q1,AUTO_LPM_EXIT_CHx 位對 TPS2HCS10B-Q1 沒有影響。通過更改處于 AUTO_LPM 狀態的 DI1 和/或 DI2 的狀態,系統可以手動讓 TPS2HCS10B-Q1 器件退出 AUTO_LPM 模式。
處于 AUTO_LPM 狀態時,器件將自行喚醒,并在負載電流增加到超過 IEXIT_LPM_AUTO 閾值時將 LPM_STATUS 位更改為 0。處于 AUTO_LPM 狀態時,GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS_1 位設置為 1,并被讀取清除,這使系統能夠判斷自上次讀取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器以來器件是否已轉換到 AUTO_LPM 狀態。當 ECU 負載電流需求增加到高于 IEXIT_LPM_AUTO 閾值時,將激活向 ACTIVE 狀態的轉換。請注意,在這種負載增加的情況下,器件不會將 FLT/WAKE_SIG 拉至低電平。
如果 ECU 負載電流需求增加較大或輸出短路高于 ISCP_LPM_AUTO,器件將關閉該通道的內部 FET,并在 IOCP 設置為過流保護閾值時,在 tRETRY 后進行重試。在這種情況下,當負載電流增加到超過 ISCP_LPM_AUTO 閾值時,器件會將 FLT/WAKE_SIG 引腳拉至低電平。僅在 ACTIVE 狀態下也確認過流時,該器件才會將故障記錄為過流保護故障。
根據負載階躍幅度,器件將以不同的方式轉換到 ACTIVE 狀態。圖 8-34、圖 8-35 和 圖 8-36 展示了器件如何響應不同的負載階躍幅度。