ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
- 7 參數測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- PWP|16
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- PWP|16
訂購信息
9.1 應用信息
圖 9-1 和圖 9-2 分別展示了 TPS2HCS10A-Q1 和 TPS2HCS10B-Q1 典型應用的原理圖。其包含所有標準外部元件。數據表的這一部分討論了實現常用應用功能時的注意事項。該電路假定輸入電源上沒有反極性保護，因此需要額外的保護元件。
圖 9-1 系統圖 — TPS2HCS10A-Q1
圖 9-2 系統圖 — TPS2HCS10B-Q1使用接地保護網絡時，器件接地端將相對于微控制器接地端發生偏移。控制器 (MCU) I/O 以及 TPS2HCS10B-Q1 器件的 VDD 電源輸入應使用相同的電源：即 5V（推薦）或 3.3V 電源。
表 9-1 推薦的外部元件
| 元件 | 典型值 | 用途 |
|---|---|---|
| RSPI | 22Ω | （可選）適用于 SPI 引腳上的 EMI 或其他瞬態限制。 |
| RSDO | 768Ω | 較高的值可將 MCU VDD 的總電阻增加至 768Ω，用于接地損耗檢測 |
| RPROT | 10kΩ | 保護微控制器和器件 GPIO 引腳 |
| RPU | 4.7kΩ | 上拉電阻器 |
| RSNS | 0.2-1.5kΩ | 將檢測電流轉換為內部 ADC 輸入的檢測電壓 |
| CSNS | 1 - 4.7nF | ADC 輸入的低通濾波器。 |
| D1 | +/-36V | 用于抑制電壓瞬變（該模塊使用一個） |
| DGND | BAS21/肖特基二極管 | 用于在器件正常運行期間限制 RGND 兩端的壓降。建議使用低正向電壓二極管；當 VDD 為 3.3V 時，建議使用肖特基二極管。（注意：建議使用 5V 的 VDD 工作電壓，以獲得較低的 Iq） |
| RGND | 4.7kΩ | 在負輸出電壓偏移期間保持接地電位 |
| RVDD | 10Ω | 限制到 IC 的 VDD 電源輸入的上升/下降速率。 |
| CVDD | 470nF | 系統接地的 VDD 電源電壓穩定性。 |
| CVBB1 | 1nF - 4.7nF 連接至 IC_GND | （可選）用于改善輻射。 |
| CVBB2 | 100nF - 2200nF 連接至模塊 GND | 穩定輸入電源并濾除低頻噪聲。 |
| COUTx | 22nF - 100nF | 濾除電壓瞬變（例如，ESD、ISO7637-2）。 如果使用 MANUAL_LPM、CAP_CHRG_CHx = 10 和/或 OL_ON_EN = 1 模式，并且輸出端未使用反激式二極管，則對于 MANUAL_LPM、CAP_CHRG_CHx = 10 和 OL_ON_EN = 1 模式下的短路保護，建議使用 100nF 的電容值。如果輸出端使用反激式二極管，建議使用 22nF 的電容值。 |