ZHCSW37A April 2024 – May 2025 TPS23881B
PRODUCTION DATA
命令 = 1Ah，帶 1 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，只寫
按鈕寄存器。
在某個(gè)位的位置寫入 1 會(huì)觸發(fā)事件，而寫入 0 則不會(huì)產(chǎn)生影響。自行清除位。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| CLRAIN | CLINP | – | RESAL | RESP4 | RESP3 | RESP2 | RESP1 |
| W-0 | W-0 | W-0 | W-0 | W-0 | W-0 | W-0 | W-0 |
| 說(shuō)明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀；W = 只寫；-n = 復(fù)位后的值 |
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | CLRAIN | W | 0 | 清除所有中斷位。向 CLRAIN 寫入 1 會(huì)清除所有事件寄存器以及中斷寄存器中的所有位。還會(huì)釋放 INT 引腳 |
| 6 | CLINP | W | 0 | 置位后會(huì)釋放 INT 引腳，而不會(huì)影響事件寄存器和中斷寄存器。 |
| 5 | – | W | 0 | |
| 4 | RESAL | W | 0 | RESAL 置位時(shí)復(fù)位所有位。產(chǎn)生類似于上電復(fù)位的狀態(tài)。請(qǐng)注意，VDUV 和 VPUV 位（電源事件寄存器）遵循 VDD 和 VPWR 電源軌的狀態(tài)。 |
| 3-0 | RESP4–RESP1 | W | 0 | 復(fù)位通道位。用于在任何模式下強(qiáng)制立即關(guān)閉通道，方法是在相應(yīng) RESPn 位的位置寫入 1。 注意：對(duì)于 4 線對(duì)有線端口，為任一通道設(shè)置 RESPn 位都將導(dǎo)致兩個(gè)通道復(fù)位。 |
設(shè)置 RESAL 位將導(dǎo)致所有 I2C 寄存器恢復(fù)到 RST 狀態(tài)，但下表中的除外：
| 寄存器 | 位 | RESAL 結(jié)果 |
|---|---|---|
| 0x00 | 所有 | 先前的 RESAL 值將保留 |
| 0x0A/B | TSD、VPUV、VDWRN 和 VPUV | |
| 0x26 | 所有 | |
| 0x2C 和 0x2E | 所有 | |
| 0x41 | 所有 |
僅設(shè)置一組（四個(gè)）通道（1-4 或 5-8）的 RESAL 位將導(dǎo)致僅復(fù)位這四個(gè)通道。
使用 CLINP 命令后，在清除所有現(xiàn)有中斷之前，不會(huì)因?yàn)槿魏沃袛鄬?INT 引腳重新置位。
設(shè)置 RESPn 位將立即關(guān)閉相關(guān)通道并根據(jù)下表清除寄存器：
| 寄存器 | 要復(fù)位的位 |
|---|---|
| 0x04 | CLSCn 和 DETCn |
| 0x06 | DISFn 和 PCUTn |
| 0x08 | STRTn 和 ILIMn |
| 0x0A/B | PCUTnn |
| 0x0C-0F | 請(qǐng)求的分級(jí)和檢測(cè) |
| 0x10 | PGn 和 PEn |
| 0x14 | CLEn 和 DETEn |
| 0x1C | ACn 和 CCnn |
| 0x1E-21 | 2P 管制設(shè)置為 0xFFh |
| 0x24 | PFn |
| 0x2A-2B | 4P 管制設(shè)置為 0xFFh |
| 0x2D | NLMnn、NCTnn、4PPCTnn 和 DCDTnn |
| 0x30-3F | 通道電壓和電流測(cè)量 |
| 0x40 | 2xFBn |
| 0x44 - 47 | 檢測(cè)電阻測(cè)量 |
| 0x4C-4F | 分配的分級(jí)和先前的分級(jí) |
| 0x51-54 | Autoclass 測(cè)量 |
只會(huì)清除與設(shè)置了 RESPn 的通道/端口（“n”）相關(guān)的位。與仍然保持工作狀態(tài)的通道/端口相關(guān)的位將不會(huì)改變。
在發(fā)出 RESPn 命令之后，可能需要 5ms 以上的時(shí)間才能清除所有寄存器。
RESPn 命令將取消任何正在進(jìn)行的冷卻周期。
在發(fā)出 RESPn 命令之后，用戶需要等待至少 3ms 才能嘗試重新啟用發(fā)現(xiàn)或打開端口電源。