11 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (November 2013)to RevisionG (September 2025)
- 通篇添加了 TMP411D-Q1 器件；更新了數據表標題Go
- 根據最新的德州儀器 (TI) 和行業數據表標準更新了文檔的外觀Go
- 向說明 部分添加了“封裝信息”表Go
- 添加了“器件比較”表、“器件命名規則”圖和說明Go
- 通篇更新了“轉換時間”Go
- 通篇更改了平均電流和關斷電流Go
- 添加了引腳配置和功能 部分Go
- 在引腳功能 表中添加了“類型”列Go
- 更新了 D+/D- 引腳上的最大額定電壓。Go
- 更新了 4、6、7、8 引腳上的最大額定電壓。Go
- 更新了 V+ 引腳上的最大額定電壓Go
- 更新了 TMP411-Q1 的人體放電模型 (HBM) 和充電器件模型 (CDM) 靜電放電Go
- 向“熱性能信息”部分中添加了 DGK 和 DDF 封裝Go
- 更新了拼寫錯誤，并將“TA = 15°C 至 85°C、V+ = 3.3V”從“遠程溫度誤差”移至“本地溫度誤差”Go
- 向溫度誤差電源靈敏度中添加了條件“TDIODE =– 40°C 至 150°C”Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“轉換時間”Go
- 更新了遲滯典型值的拼寫錯誤，從 500mV 更新為 170mVGo
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“邏輯輸入電流”。Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“輸出低電壓”Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“高電平輸出漏電流”。Go
- 更新了拼寫錯誤，并向“ALERT 或 THERM2 輸出低電平灌電流”中添加了 6mA 最小值Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“靜態電流”和所有測試條件Go
- 刪除了對欠壓鎖定的限制Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“上電復位閾值”。Go
- 在電氣特性表中添加了“欠壓檢測值”Go
- 將高速模式下的 t(SUDAT) 從 10ns 更改為 20ns。Go
- 添加了新芯片的“典型特性 (TMP411-Q1)”圖Go
- 向詳細說明 部分中添加了概述Go
- 更新了“概述”部分中的“基本連接”圖Go
- 添加了功能方框圖 部分Go
- 添加了特性說明 部分，并將特性信息調整到此部分中Go
- 添加了“12 位 Q4 參數和位值”表及其 C 代碼。Go
- 更新了欠壓鎖定部分，因為新芯片的 POR 會刪除欠壓鎖定電壓Go
- 添加了器件功能模式 部分Go
- 向關斷模式 (SD) 部分添加了說明文字，以便與實際器件行為保持一致Go
- 通篇將術語“主器件”更改為“控制器”，將“從器件”更改為“目標”Go
- 將時序表 添加到規格 部分Go
- 添加了“TMP411-Q1 和 TMP411D-Q1 器件地址選項”表Go
- 將寄存器信息 部分更改為寄存器映射 部分，并將寄存器信息集中到此部分中Go
- 更新了“狀態寄存器”部分，因為新芯片的 POR 會刪除欠壓鎖定電壓Go
- 添加了“應用信息”部分Go
- 在設計要求部分添加了 D+ 波形Go
- 更新了詳細設計過程部分Go
- 添加了電源建議部分Go
- 將布局注意事項 更改為布局指南
Go
- 添加了“布局示例”部分Go
- 添加了器件和文檔支持部分及其子部分Go
- 添加了機械、封裝和可訂購信息 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (December 2012)to RevisionF (November 2013)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 將整個文檔中的封裝從 MSOP 更改為 VSSOP。Go
- 在第 1 部分列表項和“絕對最大額定值”表中將器件 CDM ESD 分類等級從 C3B 更改為 C4B。Go