ZHCST61G December 2010 – September 2025 TMP411-Q1 , TMP411D-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 溫度誤差 | ||||||||
| TERROR(LOCAL) | 本地溫度傳感器 | TA = 15°C 至 85°C V+ = 3.3V | -1 | ±0.0625 | 1 | °C | ||
| TA = -40°C 至 125°C | -2.5 | ±1.25 | 2.5 | |||||
| TERROR(REMOTE) | 遠(yuǎn)程溫度傳感器(1) | TA = 15°C 至 75°C TDIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V | -1 | ±0.0625 | 1 | °C | ||
| TA = -40°C 至 100°C TDIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V | -3 | ±1 | 3 | |||||
| TA = -40°C 至 125°C TDIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V | -5 | ±3 | 5 | |||||
| TERROR_PS | 溫度誤差電源靈敏度（本地和遠(yuǎn)程） | V+ = 2.7V 至 5.5V TDIODE = -40°C 至 150°C | -0.5 | ±0.2 | 0.5 | °C/V | ||
| 溫度測(cè)量 | ||||||||
| tCONV | 轉(zhuǎn)換時(shí)間（本地 + 遠(yuǎn)程） | 單次觸發(fā)模式 | 舊芯片 | 105 | 115 | 125 | ms | |
| 新芯片 | 30 | 35 | 40 | |||||
| TRES | 分辨率 | 本地溫度傳感器（可編程） | 9 | 12 | 位 | |||
| 遠(yuǎn)程溫度傳感器 | 12 | |||||||
| RSERIES | 遠(yuǎn)程傳感器拉電流 | 高 | 串聯(lián)電阻：3kΩ（最大值） | 120 | μA | |||
| 中高 | 60 | |||||||
| 中低 | 僅舊芯片 | 12 | ||||||
| 低 | 6 | |||||||
| η | 遠(yuǎn)程晶體管理想因數(shù) | 優(yōu)化的理想因數(shù) | 1.008 | |||||
| SMBus 接口 | ||||||||
| VIH | 邏輯輸入高電壓（SCL、SDA） | 2.1 | V | |||||
| VIL | 邏輯輸入低電壓（SCL、SDA） | 0.8 | V | |||||
| VHYST | 遲滯 | 170 | mV | |||||
| SMBus 輸出低電平灌電流 | 6 | mA | ||||||
| ILI 和 ILO | 邏輯輸入電流 | 舊芯片 | -1 | 1 | μA | |||
| 新芯片 | -0.2 | 0.2 | ||||||
| CIN | SMBus 輸入電容（SCL、SDA） | 3 | pF | |||||
| SMBus 時(shí)鐘頻率 | 3.4 | MHz | ||||||
| SMBus 超時(shí) | 25 | 30 | 35 | ms | ||||
| SCL 下降沿至 SDA 有效時(shí)間 | 1 | μs | ||||||
| 數(shù)字輸出 | ||||||||
| VOL | 輸出低電壓 | IOUT = 6mA | 舊芯片 | 0.15 | 0.4 | V | ||
| 新芯片 | 0.3 | 0.4 | ||||||
| IOH | 高電平輸出漏電流 | VOUT = V+ | 舊芯片 | 0.1 | 1 | μA | ||
| 新芯片 | 0.05 | 0.2 | ||||||
| ALERT 或 THERM2 輸出低電平灌電流 | ALERT/THERM2 強(qiáng)制設(shè)置為 0.4V | 6 | mA | |||||
| THERM 輸出低電平灌電流 | THERM 強(qiáng)制設(shè)置為 0.4V | 6 | mA | |||||
| 電源 | ||||||||
| V+ | 特定電壓范圍 | 2.7 | 5.5 | V | ||||
| IDD_AVG | 靜態(tài)電流 | 0.0625Hz 轉(zhuǎn)換 V+ = 3.3V | 舊芯片 | 28 | 30 | μA | ||
| 新芯片 | 1.5 | 8.2 | ||||||
| 8Hz 轉(zhuǎn)換 V+ = 3.3V | 舊芯片 | 400 | 475 | |||||
| 新芯片 | 45 | 85 | ||||||
| IDD_SD | 關(guān)斷電流 | 串行總線無(wú)效 | 舊芯片 | 3 | 10 | μA | ||
| 新芯片 | 0.6 | 7 | ||||||
| 串行總線有效，fs = 400kHz | 舊芯片 | 90 | ||||||
| 新芯片 | 7 | |||||||
| 串行總線有效，fs = 3.4MHz | 舊芯片 | 350 | ||||||
| 新芯片 | 55 | |||||||
| 欠壓鎖定(2) | 舊芯片 | 2.3 | 2.4 | 2.6 | V | |||
| 此行為與上電復(fù)位 (POR) 同時(shí)出現(xiàn)。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱節(jié) 7.3.6和腳注(2) | 新芯片 | |||||||
| POR | 上電復(fù)位閾值 | 舊芯片 | 1.6 | 2.3 | V | |||
| 新芯片 | 1.23 | 1.4 | ||||||
| 欠壓檢測(cè) | 新芯片 | 1 | 1.14 | V | ||||