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ZHCST61G December 2010 – September 2025 TMP411-Q1 , TMP411D-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DGK|8
- MPDS028E

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性 (TMP411-Q1)

在 T_A = -40°C 至 +125°C 且 V+ = 2.7V 至 5.5V 時，在自然通風條件下的工作溫度范圍內測得（除非另有說明）

參數			測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
溫度誤差
T_ERROR(LOCAL)	本地溫度傳感器		T_A = 15°C 至 85°C V+ = 3.3V		-1	±0.0625	1	°C
T_ERROR(LOCAL)	本地溫度傳感器		T_A = -40°C 至 125°C		-2.5	±1.25	2.5	°C
T_{ERROR(REMOTE)}	遠程溫度傳感器⁽¹⁾		T_A = 15°C 至 75°C T_DIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V		-1	±0.0625	1	°C
			T_A = -40°C 至 100°C T_DIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V		-3	±1	3
			T_A = -40°C 至 125°C T_DIODE = -40°C 至 150°C V+ = 3.3V		-5	±3	5
T_{ERROR_PS}	溫度誤差電源靈敏度（本地和遠程）		V+ = 2.7V 至 5.5V T_DIODE = -40°C 至 150°C		-0.5	±0.2	0.5	°C/V
溫度測量
t_CONV	轉換時間（本地 + 遠程）		單次觸發(fā)模式	舊芯片	105	115	125	ms
t_CONV	轉換時間（本地 + 遠程）		單次觸發(fā)模式	新芯片	30	35	40	ms
T_RES	分辨率	本地溫度傳感器（可編程）			9		12	位
T_RES	分辨率	遠程溫度傳感器				12		位
R_SERIES	遠程傳感器拉電流	高	串聯電阻：3kΩ（最大值）			120		μA
		中高				60
		中低		僅舊芯片		12
		低				6
η	遠程晶體管理想因數		優(yōu)化的理想因數			1.008
SMBus 接口
V_IH	邏輯輸入高電壓（SCL、SDA）				2.1			V
V_IL	邏輯輸入低電壓（SCL、SDA）						0.8	V
V_HYST	遲滯					170		mV
	SMBus 輸出低電平灌電流				6			mA
I_LI 和 I_LO	邏輯輸入電流			舊芯片	-1		1	μA
I_LI 和 I_LO	邏輯輸入電流			新芯片	-0.2		0.2	μA
C_IN	SMBus 輸入電容（SCL、SDA）					3		pF
	SMBus 時鐘頻率						3.4	MHz
	SMBus 超時				25	30	35	ms
	SCL 下降沿至 SDA 有效時間						1	μs
數字輸出
V_OL	輸出低電壓		I_OUT = 6mA	舊芯片		0.15	0.4	V
V_OL	輸出低電壓		I_OUT = 6mA	新芯片		0.3	0.4	V
I_OH	高電平輸出漏電流		V_OUT = V+	舊芯片		0.1	1	μA
I_OH	高電平輸出漏電流		V_OUT = V+	新芯片		0.05	0.2	μA
	ALERT 或 THERM2 輸出低電平灌電流		ALERT/THERM2 強制設置為 0.4V		6			mA
	THERM 輸出低電平灌電流		THERM 強制設置為 0.4V		6			mA
電源
V+	特定電壓范圍				2.7		5.5	V
I_{DD_AVG}	靜態(tài)電流		0.0625Hz 轉換 V+ = 3.3V	舊芯片		28	30	μA
			0.0625Hz 轉換 V+ = 3.3V	新芯片		1.5	8.2
			8Hz 轉換 V+ = 3.3V	舊芯片		400	475
			8Hz 轉換 V+ = 3.3V	新芯片		45	85
I_{DD_SD}	關斷電流		串行總線無效	舊芯片		3	10	μA
			串行總線無效	新芯片		0.6	7
			串行總線有效，f_s = 400kHz	舊芯片		90
			串行總線有效，f_s = 400kHz	新芯片		7
			串行總線有效，f_s = 3.4MHz	舊芯片		350
			串行總線有效，f_s = 3.4MHz	新芯片		55
	欠壓鎖定⁽²⁾			舊芯片	2.3	2.4	2.6	V
	欠壓鎖定⁽²⁾		此行為與上電復位 (POR) 同時出現。有關更多信息，請參閱節(jié) 7.3.6和腳注⁽²⁾	新芯片				V
POR	上電復位閾值			舊芯片		1.6	2.3	V
	上電復位閾值			新芯片		1.23	1.4	V
	欠壓檢測			新芯片	1	1.14		V

(1) 在小于 5? 的有效串聯電阻和 100pF 差分輸入電容下進行了測試。T_A 是 TMP411-Q1 的環(huán)境溫度。T_DIODE 是遠程二極管傳感器處的溫度。

(2) 當未連接遠程二極管時，應在電源斜升速率小于 240V/s 的情況下忽略第一次遠程轉換。