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ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RBG|26
- MPQF809

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

8.5.1 布局指南

針對承載大電流的信號使用寬引線，并盡可能避免使用過孔。如果無法避免使用過孔，則應添加多個過孔，以實現低寄生電感和高電流能力。這些包括用于 PVDD、VBAT、VDD、PGND、BGND、GND、OUT_P 和 OUT_N 的引線。
PGND 和 BGND 信號應直接連接并短接到電路板的接地平面，從而更大限度地減小寄生電感。在連接到接地平面之前，應避免在接地引腳之間（例如 GND 和 PGND 或 GND 和 BGND 共模布線）產生共模電感。
敏感低壓信號應避免在 OUT_P、OUT_N、SW、等高開關信號布線之間產生耦合。
盡可能地減小 OUT_P、OUT_N、SW、等高開關線路與接地/靜態節點之間的電容。較大的電容會導致效率下降。OUT_P 和 OUT_N 之間的耦合也會導致效率降低。
至升壓電感器和器件 VBAT 引腳的 VBAT 布線應以星形接法連接到公共 VBAT 電源平面。確保去耦電容器 C4 靠近器件放置，去耦電容器 C5 靠近電感器放置。
將升壓電感器放置在 VBAT 和 SW 之間靠近器件端子的位置，器件端子和電感器之間沒有過孔。VBAT 至升壓電感器的布線應具有超低的布線電阻，以便器件發揮最佳性能。
去耦電容器應靠近器件放置。建議為去耦電容器使用盡可能小的封裝尺寸，從而使器件發揮最佳性能。建議 DREG、VDD、IOVDD、VBAT（C4 電容器）、PVDD 低 ESL（C6 電容器）具有 0201 外殼尺寸或更小。應避免在去耦電容器和器件引腳之間使用過孔，或者也可以添加多個過孔來盡可能減小寄生電感。
所有去耦電容器的接地端子都應通過多個接地過孔牢固地連接到接地平面。應盡可能地減小電容器接地與器件接地引腳之間的接地布線環路。
對于 VDD Y 橋功能，從主機 PMIC 到器件 VDD 的布線應采用寬電源平面布線，并盡可能減小布線寄生電感。
對于 GREG-PVDD（C9 電容器）之間的電容器，電容器的 PVDD 側不應直接連接到 PVDD 去耦電容器（C6、C7 和 C8），而應盡可能靠近器件 PVDD 引腳連接。
在外部 PVDD 運行模式下，SW 引腳應保持懸空，不連接到任何電源或接地信號。