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ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RBG|26
- MPQF809

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.2 頁 1 寄存器

表 7-52 列出了頁 1 寄存器的存儲(chǔ)器映射寄存器。表 7-52 中未列出的所有寄存器偏移地址都應(yīng)視為保留的位置，并且不應(yīng)修改寄存器內(nèi)容。

表 7-52 頁 1 寄存器

地址	首字母縮寫詞	說明	部分
0h	PAGE	器件頁	節(jié) 7.2.1
Ah	BOOST_TUNING_12	升壓配置	節(jié) 7.2.2
Eh	DEV_PERF_TUNING_07	器件性能調(diào)優(yōu)寄存器	節(jié) 7.2.3
18h	PVDD_OVLO1	PVDD 過壓	節(jié) 7.2.4
19h	DEVICE_CFG0	器件配置	節(jié) 7.2.5
1Ah	PVDD_OVLO2	PVDD 過壓	節(jié) 7.2.6
29h	DEVICE_CFG2	器件配置	節(jié) 7.2.7
2Bh	DEV_PERF_TUNING_04	器件性能調(diào)優(yōu)寄存器	節(jié) 7.2.8
64h	I2C_CKSUM	I2C 校驗(yàn)和	節(jié) 7.2.9

7.2.1 頁面寄存器（地址 = 0h）[復(fù)位 = 00h]

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器件存儲(chǔ)器映射分為多個(gè)頁和簿。該寄存器設(shè)置頁。

表 7-53 頁面寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-0	PAGE[7:0]	R/W	0h	設(shè)置器件頁。 0h = 頁 0 1h = 頁 1 FFh = 頁 255

7.2.2 BOOST_TUNING_12 寄存器（地址 = Ah）[復(fù)位 = 98h]

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升壓配置

表 7-54 BOOST_TUNING_12 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	RESERVED	R/W	2h	保留
5-2	BOOST_TUNING_12[3:0]	R/W	6h	升壓調(diào)優(yōu)寄存器?？梢允褂?PPC3 軟件進(jìn)行配置
1	RESERVED	R	0h	保留
0	RESERVED	R	0h	保留

7.2.3 DEV_PERF_TUNING_07 寄存器（地址 = Eh）[復(fù)位 = 0Bh]

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器件性能調(diào)優(yōu)寄存器

表 7-55 DEV_PERF_TUNING_07 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	RESERVED	R/W	0h	保留
5-4	RESERVED	R/W	0h	保留
3-0	DEV_PERF_TUNING_07[3:0]	R/W	Bh	器件性能調(diào)優(yōu)寄存器 0h = 外部 PVDD 模式調(diào)優(yōu) Bh = 1S 模式調(diào)優(yōu)

7.2.4 PVDD_OVLO1 寄存器（地址 = 18h）[復(fù)位 = EBh]

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在外部 PVDD 模式下配置 PVDD OVLO 電壓

表 7-56 PVDD_OVLO1 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	pvdd_ovlo_th_sel_ext_boost[1:0]	R/W	3h	外部 PVDD 模式期間的 PVDD OVLO 閾值選擇 0h = 13.5V 1h = 14V 2h = 15V 3h = 16V
5-4	RESERVED	R/W	2h	保留
3-2	BOOST_TUNING_13[1:0]	R/W	2h	升壓調(diào)優(yōu)寄存器 0h = 保留 1h = 2S 運(yùn)行模式 2h = 1S 運(yùn)行模式 3h = 保留
1-0	RESERVED	R/W	3h	保留

7.2.5 DEVICE_CFG0 寄存器（地址 = 19h）[復(fù)位 = 23h]

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該寄存器旨在實(shí)現(xiàn)升壓性能，從而符合器件規(guī)格

表 7-57 DEVICE_CFG0 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	RESERVED	R/W	0h	保留
6	RESERVED	R/W	0h	保留
5	DEV_PERF_TUNING_03	R/W	1h	器件性能調(diào)優(yōu)寄存器 0h = 器件性能配置 1h = 保留
4	RESERVED	R/W	0h	保留
3-0	RESERVED	R/W	3h	保留

7.2.6 PVDD_OVLO2 寄存器（地址 = 1Ah）[復(fù)位 = C4h]

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在內(nèi)部升壓模式下配置 PVDD OVLO 電壓

表 7-58 PVDD_OVLO2 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	pvdd_ovlo_th_sel[1:0]	R/W	3h	PVDD OVLO 閾值選擇 - 內(nèi)部升壓模式 0h = 13.5V 1h = 14V 2h = 15V 3h = 16V
5-3	RESERVED	R	0h	保留
2	RESERVED	R/W	1h	保留
1	RESERVED	R	0h	保留
0	RESERVED	R	0h	保留

7.2.7 DEVICE_CFG2 寄存器（地址 = 29h）[復(fù)位 = 04h]

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該寄存器用于選擇器件內(nèi)部偏置電壓要求

表 7-59 DEVICE_CFG2 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-5	DEVICE_CFG_1[2:0]	R/W	0h	配置內(nèi)部偏置電壓 0h = 器件性能配置 1h = 保留 2h = 保留 3h = 保留 4h = 保留 5h = 保留 6h = 保留 7h = 保留
4	VBAT_BIAS_SEL1	R/W	0h	根據(jù) VBAT 引腳電壓配置內(nèi)部偏置電壓 0h = 基于 VBAT_BIAS_SEL2 寄存器 1h = 內(nèi)插為 VBAT_2S/2
3-2	VBAT_BIAS_SEL2[1:0]	R/W	1h	當(dāng) VBAT_BIAS_SEL1=0 時(shí)配置內(nèi)部偏置電壓 0h = 保留 1h = 最小 VBAT 引腳電壓 > 2.9V 2h = 最小 VBAT 引腳電壓 > 3.3V 3h = 最小 VBAT 引腳電壓 > 3.7V
1	RESERVED	R	0h	保留
0	RESERVED	R	0h	保留

7.2.8 DEV_PERF_TUNING_04 寄存器（地址 = 2Bh）[復(fù)位 = 80h]

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器件性能調(diào)優(yōu)寄存器

表 7-60 DEV_PERF_TUNING_04 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-0	DEV_PERF_TUNING_04[7:0]	R/W	80h	器件性能調(diào)優(yōu)。PPC3 軟件生成所需的正確配置

7.2.9 I2C_CKSUM 寄存器（地址 = 64h）[復(fù)位 = 00h]

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返回 I2C 校驗(yàn)和。

表 7-61 I2C_CKSUM 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-0	I2C_CKSUM[7:0]	R/W	0h	返回 I2C 校驗(yàn)和。寫入此寄存器會(huì)將校驗(yàn)和復(fù)位為寫入值。此寄存器在所有簿和頁上的其他寄存器進(jìn)行寫操作時(shí)更新。