ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBG|26
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.4.4 內(nèi)部升壓
TAS2120 內(nèi)部處理算法會在需要時自動啟用升壓。超前算法可監(jiān)控電池電壓和數(shù)字音頻流。當(dāng)揚聲器輸出接近電池電壓時，會及時啟用升壓以提供所需的揚聲器輸出電壓。當(dāng)不再需要升壓轉(zhuǎn)換器時，會將其禁用并旁路以更大限度地提高效率。可以將升壓配置為兩種模式之一。第一種是低浪涌（G 類），僅支持升壓關(guān)斷，具有最低的浪涌電流。第二種是高效率（H 類），其中升壓電壓電平調(diào)整為剛好高于所需的值。該模式更高效，但浪涌電流更高，可快速轉(zhuǎn)換電平。這可以通過使用 BST_MODE[1:0] 寄存器位來配置。
圖 6-10 升壓模式信號跟蹤示例| BST_MODE[1:0] | 升壓模式 |
|---|---|
| 00 | H 類 - 高效率（默認(rèn)） |
| 01 | G 類 - 低浪涌電流 |
| 10 | 常開 |
| 11 | 始終關(guān)閉 - 直通 |
可以使用 BST_EN 寄存器來啟用和禁用升壓。當(dāng)使用外部電源通過 PVDD 引腳驅(qū)動 D 類放大器時，應(yīng)禁用升壓，并且 SW 引腳應(yīng)保持懸空。
| BST_EN | 升壓 |
|---|---|
| 0 | 禁用（外部 PVDD 模式） |
| 1 | 啟用（默認(rèn)設(shè)置） |
最大升壓電壓由 VBOOST_MAX_CTRL[7:0] 設(shè)置。在 G 類模式下運行時，升壓（如果需要）為該電壓。在 H 類運行模式下，升壓電壓是根據(jù)音頻信號自動選擇的，但不會超過該設(shè)置值。在 H 類模式下，H 類控制器以 33mV 的最小階躍來控制升壓，以生成所需的 PVDD 電壓。器件生成的最大升壓電壓由 VBOOST_MAX_CTRL[7:0] 控制，能夠以 66mV 的階躍大小進(jìn)行配置。
| VBOOST_MAX_CTRL[7:0] | 升壓電壓 (V) |
|---|---|
| 0x00 - 0x53 | 保留 |
| 0x54 | 5.54V |
| 0x55 | 5.61V |
| ... | ... 66mV 階躍/LSB 階躍 ... |
| 0xA7 | 11.02V |
| ... | ... 66mV 階躍/LSB 階躍 ... |
| 0xE3 | 14.98V（默認(rèn)值） |
| 0xE4 | 15.05V |
| 0xE5 | 15.11V |
| 0xE6 - 0xFF | 保留 |
| BST_MIN_FREQ_SEL[1:0] | 下限 |
|---|---|
| 00 | 無下限（默認(rèn)） |
| 01 | 25kHz |
| 10 | 50kHz |
| 11 | RESERVED |
通過使用 BST_ILIM[23:0] 寄存器來控制升壓消耗的峰值電流，該寄存器限制從 VBAT 電源消耗的電流。該設(shè)置可以靈活地為各種飽和電流選擇電感器。系統(tǒng)應(yīng)始終使用最小飽和電流 (ISAT) 至少比編程的 BST_ILIM 設(shè)置高 5% 的電感器。如果電感器的 ISAT 低于 BST_ILIM 設(shè)置，則升壓電路會變得不穩(wěn)定。可以使用 PPC3軟件以 39.1mA 階躍在 1.5A 至 5.1A 范圍內(nèi)調(diào)整電流限制。
要更改 BST_ILIM、VBOOST_MAX_CTRL 等升壓配置，需要重新調(diào)優(yōu) CLASSH_TUNING_xx[23:0] 寄存器等器件參數(shù)，以在確保無功能故障的同時實現(xiàn)最佳性能。應(yīng)使用 PPC3 工具更改此配置，以自動重新配置所有關(guān)聯(lián)的器件參數(shù)。
對于多通道系統(tǒng)，可以移動升壓相位，以確保每個器件將在不同的時間點從電池汲取峰值電流，從而降低電池提供的瞬時峰值電流。可以使用 BOOST_PHASE_SYNC_EN 啟用多個器件之間的升壓同步。可以使用 I2 目標(biāo)地址器件（使用 BOOST_PHASE_FROM_ADDRESS_PIN 寄存器進(jìn)行檢測）將各個器件升壓相位自動配置為不同的值，也可以使用 BOOST_PHASE 寄存器手動對其進(jìn)行配置。升壓相移由每個器件使用 FSYNC 脈沖同步每個器件來完成，所有需要升壓相位同步的器件應(yīng)連接到來自系統(tǒng)中主機的同一 FSYNC。
| BOOST_PHASE_SYNC_EN | 狀態(tài) |
|---|---|
| 0 | 禁用 |
| 1 | 啟用（默認(rèn)設(shè)置） |
| BOOST_PHASE_FROM_ADDRESS_PIN | 狀態(tài) |
|---|---|
| 0 | 禁用（默認(rèn)設(shè)置） |
| 1 | 啟用 |
| BOOST_PHASE[1:0] | 相位延遲 |
|---|---|
| 00 | 相移為 0ns（默認(rèn)設(shè)置） |
| 01 | 相移為 65ns（對于最大時鐘，約為 90°） |
| 10 | 相移為 130ns（對于最大時鐘，約為 180°） |
| 11 | 相移為 195ns（對于最大時鐘，約為 270°） |