ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
該器件提供靈活的音頻串行接口 (ASI) 端口。該端口可配置為支持多種格式，包括立體聲 I2S、左對齊和 TDM。通過 SDIN 引腳提供單音頻播放。SDOUT 引腳用于傳輸樣本流，包括 PVDD 電壓、VBAT 電壓、內核溫度、狀態以及用于回聲基準的音頻。
TDM 串行音頻端口在 44.1/48kHz 采樣率下支持多達 16 個 32 位時隙，在 88.2/96kHz 采樣率下支持多達 8 個 32 位時隙，在 176.4/192kHz 采樣率下支持多達 4 個 32 位時隙。該器件支持 2 個寬度為 32 位的時隙，以及 4 個或 8 個寬度為 16 位、24 位或 32 位的時隙。器件可自動檢測時隙數，無需編程。TDM 總線上檢測到的 PCM 數據采樣率以及 SBCLK 與 FSYNC 之比會分別在只讀寄存器位 FS_RATE_DETECTED[2:0] 和 FS_RATIO_DETECTED[3:0] 上報告。
| FS_RATE_DETECTED[2:0] （只讀） |
設置 |
|---|---|
| 000 | 保留 |
| 001 | 14.7kHz/16kHz |
| 010 | 22.05kHz/24kHz |
| 011 | 29.4kHz/32kHz |
| 100（默認值） |
44.1kHz/48kHz |
| 101 | 88.2kHz/96kHz |
| 110 | 176.4kHz/192kHz |
| 111 | 錯誤條件 |
RX_SLEN[1:0] 寄存器位將 RX 時隙的長度設置為 16、24 或 32（默認）位。時隙內音頻樣本字的長度由 RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置。默認情況下，RX 端口將使時隙內的音頻樣本左對齊，但這可以通過 RX_JUSTIFY 寄存器位更改為右對齊。器件支持單聲道和立體聲下混音播放 ([L+R]/2)。默認情況下，器件將從等于 I2C 基地址偏移量（由 AD1 和 AD2 引腳設置）的時隙播放單聲道。RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于將播放源覆蓋到左時隙、右時隙或由 RX_SLOT_R[3:0] 和 RX_SLOT_L[3:0] 寄存器位設置的立體聲下混頻。
如果時隙選擇將接收部分或全部置于幀邊界之外，則接收器返回一個空樣本，相當于一個數字靜音樣本。
TDM 端口可以在 SDOUT 引腳上傳輸多個樣本流，包括中斷和狀態、PVDD 電壓、VBAT 電壓和內核溫度。
SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引腳上傳輸數據。這可以通過設置 TX_EDGE 寄存器位來配置。TX_OFFSET[2:0] 寄存器位定義從幀開始到時隙 0 開始的 SBCLK 周期數。這會編程為 0（對于左對齊格式）和 1（對于 I2S 格式）。TDM TX 可以發送邏輯 0 或高阻態，具體取決于 TX_FILL 寄存器位的設置。當所有器件都驅動高阻態時，可選的總線保持器可以弱保持 SDOUT 引腳的狀態。由于 SDOUT 上只需要一個總線保持器，因此可以通過 TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以將總線保持器配置為僅將總線保持 1 個 LSB 或始終保持（永久）。此外，可以使用 TX_KEEPCY 寄存器位將保持器 LSB 驅動一個完整周期或半個周期。
器件還支持輸入電源電壓的監測和 TDM 傳輸。對于 PVDD 時隙，可以使用使能和長度設置 PVDD_SLOT[5:0]、PVDD_TX 和 PVDD_SLEN 寄存器位。同樣，對于 VBAT 時隙，可以使用使能和長度設置 VBAT_SLOT[5:0]、VBAT_TX 和 VBAT_SLEN 寄存器位。內核溫度也能夠以相同的方式從器件傳輸。可以使用 TEMP_TX 和 TEMP_SLOT [5:0] 寄存器位來完成內核溫度的使能和時隙設置。
STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位提供了有關時隙狀態的信息。將 STATUS_TX 寄存器位設置為高電平會啟用狀態發送。如果時隙選擇將傳輸置于幀邊界之外，則發送器將在幀邊界截斷傳輸。
| 狀態時隙位位置 | 狀態信號 |
|---|---|
| 位 0 | PVDD UVLO 狀態位 |
| 位 1 | 過流保護狀態位 |
| 位 2 | 過熱保護狀態位 |
| 位 3 | 欠壓保護有效狀態位 |
| 位 4 | 限制器有效狀態位 |
| 位 5 | 噪聲門模式狀態位 |
| 位 6 | Y 橋狀態位。1 = PVDD 開關，0 = VDD 開關 |
| 位 7 | 器件有效狀態位 |