ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBG|26
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
5.8 典型特性
TA = 25°C，VBAT = 3.6V，VBAT2S = 7.2V（啟用 2S 模式），PVDD = 12V（啟用外部 PVDD 模式），VDD = 1.8V，IOVDD = 1.8V，LBOOST（1S 升壓模式）= 1μH，F(xiàn)in = 1kHz，F(xiàn)s = 48kHz，增益 = 21dBV，BST_ILIM（1S 升壓模式）= 5.1A，BST_ILIM（2S 升壓，HW 模式）= 4.1A，BST_ILIM（2S 升壓，I2C 模式）= 5.1A，SDZ=1，禁用噪聲門，D 類邊沿速率設(shè)為 2V/ns，I2C 工作模式，測量時無濾波器，通過 Audio Precision 使用 22Hz 至 20kHz 未加權(quán)帶寬測得（除非另有說明）。
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 | HW 引腳控制 |
| RL = 4Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 2S 升壓模式 |
| RL = 4Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |
| RL = 8Ω | 1S 升壓模式 |
| RL = 8Ω | 外部 PVDD 模式 |