ZHCSGA0C April 2017 – February 2023 PGA460
PRODUCTION DATA
互補低側驅動器可與外部 PMOS FET 配合使用,為換能器提供單端直接激勵。在此配置中,通過設置 CURR_LIM_P1 寄存器中的 DIS_CL 位來禁用電流限制功能,可在 RDSON 模式下使用內部 FET。
在此模式下,可使用一個額外的死區時間特性,通過配置 PULSE_DT 位來消除外部 PMOS FET 和內部低側 FET 之間的擊穿電流。低側 FET 的突發周期保持不變;但是,死區時間編程值會縮短停用時間。#X7104 顯示了這種情況。
圖 7-2 回波生成死區時間調整