ZHCSGA0C April 2017 – February 2023 PGA460
PRODUCTION DATA
要開始設計過程,請確定以下內容:
#GUID-688B41E5-2969-49B1-AD7E-D3CBC4C17A74/X1017 列出了典型應用的建議元件值。
| 代號 | 值 | 注釋 |
|---|---|---|
| R1 | 10Ω(1/2 瓦) | 可選(降噪) |
| R2 | 100Ω(1/2 瓦) | 可選(限制浪涌電流) |
| R(INP) | 3kΩ(1/4 瓦) | 可選(僅限變壓器驅動。用以確保 EMI/ESD 穩健性) |
| L1 | 100nH | 可選(瞬態抑制) |
| C1 | 100nF | 可選(瞬態抑制) |
| C2 | 100nF | 可選(瞬態抑制) |
| C(INP) | ![]() | |
| C(INN) | ![]() | |
| CT | 值取決于使用的換能器和變壓器 | |
| D1 | 1N4007 或等效器件 | 建議使用肖特基二極管 |
| D2 | VZ < 30V | 可選(瞬態抑制) |
| D3 | VBR < 30V | 可選(瞬態抑制) |
| XDCR | 適用于低頻范圍的示例器件: 變壓器驅動的密閉式:muRata MA58MF14-7N、SensComp 40KPT25 直接驅動的開放式:muRata MA40H1S-R、SensComp 40LPT16、Kobitone 255-400PT160-ROX | |
| XFMR | 示例器件: TDK EPCOS B78416A2232A003、muRata-Toko N1342DEA-0008BQE=P3、Mitsumi K5-R4 | |
| QDECPL | 可選(時間或溫度去耦 FET) 如果未使用去耦 FET,則將 XFMR 和 CT 接地 | |
| Q1 | 可以是 FET 或 BJT,作為分立式實施或晶體管陣列封裝。示例器件: 示例器件:FDN358P 單 FET、MUN5114 單 BJT | |
| 鐵氧體磁珠 | BK215HS102-T 或等效器件 | 可選(降噪)。可替換為 0Ω 短接。 |