ZHCSZ14 October 2025 MCF8316D-Q1
PRODUCTION DATA
該器件受到全面保護,可防止 MOSFET 發(fā)生任何跨導(dǎo) - 在高側(cè)和低側(cè) MOSFET 切換期間,MCF8316D-Q1 通過插入死區(qū)時間 (tdead) 來避免擊穿事件。這是通過檢測高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側(cè) MOSFET 的 VGS 已降至低于關(guān)斷電平,然后再導(dǎo)通同一半橋的低側(cè) MOSFET(反之亦然)來實現(xiàn)的,如圖 6-11 和圖 6-12 所示。圖 6-12 中顯示的高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的 VGS(VGS_HS 和 VGS_LS)是內(nèi)部信號。