ZHCSZ14 October 2025 MCF8316D-Q1
PRODUCTION DATA
在半橋橋臂中高側和低側 MOSFET 的開關瞬間之間插入了死區時間,以避免發生擊穿情況。由于存在死區時間插入,相節點上的預期電壓與施加的電壓會因相電流方向而異。相節點電壓失真會在相電流中引入不必要的失真,進而導致可聞噪聲。MCF8316D-Q1 集成了專有的死區時間補償技術,以消除這種相電流失真并大大降低可聞噪聲,從而顯著提高 MCF8316D-Q1 中 FOC 的聲學性能。可以通過配置 DEADTIME_COMP_EN 來啟用或禁用此死區時間補償。即使 DEADTIME_COMP_EN 設置為 1b(啟用補償),也會在電機電氣頻率超過 108Hz 時禁用死區時間補償,而在電機電氣頻率降至低于 102Hz 時重新啟用死區時間補償。