ZHCSZ14 October 2025 MCF8316D-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)在此模式下發(fā)生 OCP 事件時(shí),所有 MOSFET 都被禁用,nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。狀態(tài)寄存器中的 DRIVER_FAULT、OCP 和相應(yīng) FET 的 OCP 位設(shè)置為 1b。當(dāng) OCP 條件清除并通過 CLR_FLT 位發(fā)出清除故障命令后,恢復(fù)正常運(yùn)行(驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行并釋放 nFAULT 引腳)。
圖 6-62 過流保護(hù) - 鎖存關(guān)斷模式