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ZHCSYI4 June 2025 LMG2656

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RFB|19
- MPQF796B

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.6 開關(guān)特性

1) 符號定義：V_DS(ls) = SW 至 SL 電壓；I_DS(ls) = SW 至 SL 電流；V_DS(hs) = DH 至 SW 電壓；I_D(hs) = DH 至 SW 電流；I_SW = 流入器件的 SW 點電流；2) 除非另有說明：電壓、電阻和電容以 AGND 為基準；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C；V_DS(ls) = 520V；V_DS(hs) = 520V；10V ≤ V_AUX ≤ 26V；7.5V ≤ V_{BST_SW} ≤ 26V；V_EN = 5V；V_INL = 0V；V_INH = 0V；R_RDRVL = 0?；R_{RDRVH_SW} = 0Ω；R_CS = 100Ω

參數(shù)		測試條件	典型值	最大值	單位
低側(cè) GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(ls)}	漏極電流導通延遲時間	從 V_INL > V_INL,IT+ 到 I_D(ls) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = 1A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）		112	ns
		壓擺率設(shè)置 1		80
		壓擺率設(shè)置 2		76
		壓擺率設(shè)置 3（最快）		63
t_d(on)(ls)	導通延遲時間	從 V_INL > V_INL,IT+ 到 V_DS(ls) < 390V，V_BUS = 400V，I_SW = 1A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）		150	ns
		壓擺率設(shè)置 1		110
		壓擺率設(shè)置 2		92
		壓擺率設(shè)置 3（最快）		71
t_r(on)(ls)	導通上升時間	從 V_DS(ls) < 320V 到 V_DS(ls) < 80V，V_BUS = 400V，I_SW = 1A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）	96		ns
		壓擺率設(shè)置 1	26.7
		壓擺率設(shè)置 2	4.8
		壓擺率設(shè)置 3（最快）	3
t_d(off)(ls)	關(guān)斷延遲時間	從 V_INL < V_INL,IT– 到 V_DS(ls) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = 1A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)	50		ns
t_f(off)(ls)	關(guān)斷下降時間	從 V_DS(ls) > 80V 到 V_DS(ls) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = 1A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)	34		ns
	導通壓擺率	從 V_DS(ls) < 320V 到 V_DS(ls) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = 1A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）	2.5		V/ns
		壓擺率設(shè)置 1	9
		壓擺率設(shè)置 2	50
		壓擺率設(shè)置 3（最快）	80
高側(cè) GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(hs,INH)}	漏極電流導通延遲時間	從 V_INH > V_INH,IT+ 到 I_D(hs) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = -1A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）		117	ns
		壓擺率設(shè)置 1		90
		壓擺率設(shè)置 2		80
		壓擺率設(shè)置 3（最快）		61
t_{d(on)(hs,INH)}	導通延遲時間	從 V_INH > V_INH,IT+ 到 V_DS(hs) < 390V，V_BUS = 400V，I_SW = -1A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）		200	ns
		壓擺率設(shè)置 1		130
		壓擺率設(shè)置 2		90
		壓擺率設(shè)置 3（最快）		80
t_r(on)(hs)	導通上升時間	從 V_DS(hs) < 320V 到 V_DS(hs) < 80V，V_BUS = 400V，I_SW = -1A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）	96		ns
		壓擺率設(shè)置 1	26.7
		壓擺率設(shè)置 2	4.8
		壓擺率設(shè)置 3（最快）	3
t_{d(off)(hs,INH)}	關(guān)斷延遲時間	從 V_INH < V_INH,IT–到 V_DS(hs) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = -1A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)	60		ns
t_f(off)(hs)	關(guān)斷下降時間	從 V_DS(hs) > 80V 到 V_DS(hs) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = -1A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)	34		ns
	導通壓擺率	從 V_DS(hs) < 320V 到 V_DS(hs) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = –1A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
		壓擺率設(shè)置 0（最慢）	2.5		V/ns
		壓擺率設(shè)置 1	9
		壓擺率設(shè)置 2	50
		壓擺率設(shè)置 3（最快）	80
CS
t_r	上升時間	從 I_CS(src) > 0.1 × I_{CS(src)(final)} 到 I_CS(src) > 0.9 × I_{CS(src)(final)}，0V ≤ V_CS ≤ 2V，低側(cè)啟用為 1A 負載		30	ns
EN
	EN 喚醒時間	從 V_EN > V_IT+ 到 I_D(ls) > 10mA，V_INL = 5V	1.5		μs
BST
	從深度 BST 到 SW 放電的啟動時間	從 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高側(cè)對 INH 或 GDH 高電平做出反應，V_{BST_SW} 在 1μs 內(nèi)從 0V 上升到 10V	5		μs
	從淺 BST 到 SW 放電的啟動時間	從 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高側(cè)對 INH 或 GDH 高電平做出反應，V_{BST_SW} 在 0.5μs 內(nèi)從 5V 上升到 10V	2.6		μs