ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
低側和高側 GaN 功率 FET 的導通壓擺率可單獨編程，有四種分立的設置可選。低側壓擺率可通過 RDRVL 和 AGND 引腳之間的電阻進行編程。高側壓擺率可通過 RDRVH 和 SW 引腳之間的電阻進行編程。當 AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復位電壓時，可在 AUX 上電期間確定低側一次壓擺率設置。當 BST 至 SW 電壓上升到高于 BST 上電復位電壓時，可在 BST 至 SW 上電期間確定一次高側壓擺率設置。壓擺率設置確定時間未指定，但大約為 0.4μs。
表 7-1 展示了四個壓擺率設置下的建議典型電阻設定值以及每個設置下的典型導通壓擺率。如表中所示，對于設定壓擺率設置 0，開路連接是可接受的；對于設定壓擺率設置 3，短路連接（RDRVL 短接至 AGND 以實現(xiàn)低側導通壓擺率）（RDRVH 短接至 SW 以實現(xiàn)高側導通壓擺率）是可接受的。
| 導通壓擺率設置 | 建議的典型設定電阻 (k?) |
典型導通壓擺率 (V/ns) |
備注 |
|---|---|---|---|
| 0 | 120 | 2 | 可接受設定電阻的開路連接。 |
| 1 | 47 | 9 | |
| 2 | 22 | 50 | |
| 3 | 5.6 | 80 | 可接受通過短路連接來設定電阻（RDRVL 短接至 AGND 以實現(xiàn)低側壓擺率）（RDRVH 短接至 SW 以實現(xiàn)高側壓擺率）。 |