ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
LMG2656 可為半橋 GaN 功率 FET 實現逐周期過流保護。圖 7-5 展示了逐周期過流操作。每個 INL、INH 或 GDH 邏輯高電平周期都會導通受控 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏極電流超過過流閾值電流,過流保護會在 INL、INH 或 GDH 邏輯高電平的剩余時間內關斷 GaN 功率 FET。
逐周期過流保護功能可更大限度地減少系統中斷,因為不會報告該事件,并且保護功能允許 GaN 功率 FET 在每個 INL、INH 或 GDH 周期導通一次。
如電流檢測仿真 部分所述,在低側 GaN 功率 FET 由低側過流保護功能關斷后,會產生人為 CS 引腳電流,以防止控制器進入掛起狀態。