ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 類型(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| NC | 1、6、9、11 | NC | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤(pán)。PCB 著陸焊盤(pán)是非阻焊層限定焊盤(pán)，不得與 PCB 上的任何其他金屬進(jìn)行物理連接。 |
| INH | 2 | I | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 AGND 為參考。信號(hào)在內(nèi)部通過(guò)電平轉(zhuǎn)換位移到高側(cè) GaN FET 驅(qū)動(dòng)器。在 INH 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INH 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。如果使用 GDH 引腳功能，則將此引腳短接至 AGND。 |
| INL | 3 | I | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INL 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。 |
| CS | 4 | O | 電流檢測(cè)仿真輸出。輸出與 GaN FET 電流成比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測(cè)電壓信號(hào)。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準(zhǔn)。此功能取代了與低側(cè) FET 源極串聯(lián)使用的外部電流檢測(cè)電阻。 |
| SL | 5、7 | P | 低側(cè) GaN FET 源極。低側(cè)散熱焊盤(pán)。在內(nèi)部連接到 AGND。 |
| DH | 8 | P | 高側(cè) GaN FET 漏極。 |
| SW | 10、15 | P | 高側(cè) GaN FET 源極和低側(cè) GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。高側(cè)散熱焊盤(pán)。 |
| GDH | 12 | I | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 SW 為參考。信號(hào)直接連接到高側(cè) GaN FET 驅(qū)動(dòng)器。在 GDH 到 BST 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 GDH 驅(qū)動(dòng)至高于 BST 的電平。如果使用 INH 引腳功能，則將此引腳短接至 SW。 |
| RDRVH | 13 | I | 高側(cè)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制電阻。在 RDRVH 和 SW 之間設(shè)置一個(gè)電阻，以設(shè)定高側(cè) GaN FET 導(dǎo)通壓擺率。 |
| BST | 14 | P | 自舉電壓軌。高側(cè)電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內(nèi)部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個(gè)大小合適的自舉電容器。 |
| RDRVL | 16 | I | 低側(cè)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制電阻。在 RDRVL 和 AGND 之間設(shè)置一個(gè)電阻，以設(shè)定低側(cè) GaN FET 導(dǎo)通壓擺率。 |
| AGND | 17 | G | 低側(cè)模擬接地。在內(nèi)部連接到 SL。 |
| AUX | 18 | P | 輔助電壓軌。低側(cè)電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個(gè)本地旁路電容器。 |
| EN | 19 | I | 使能。用于在工作模式和待機(jī)模式之間切換。待機(jī)模式降低了靜態(tài)電流，以支持轉(zhuǎn)換器輕載效率目標(biāo)。在 EN 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 EN 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。 |