LMG2656 是一款高度集成的 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。LMG2656 在 6mm x 8mm QFN 封裝中整合了半橋功率 FET、柵極驅動器、低側電流檢測仿真功能、高側柵極驅動電平轉換器和自舉二極管功能。

額定電壓為 650V 的 GaN FET 可提供離線電源開關應用所需的高電壓。GaN FET 低輸出電容電荷減少了電源轉換器開關所需的時間和能量，這是設計小型高效電源轉換器所需的關鍵特性。

LMG2656 內部柵極驅動器可調節 GaN FET 柵極電壓，實現最佳的導通電阻。內部驅動器還可降低總柵極電感和 GaN FET 共源極電感，從而提高開關性能。低側/高側 GaN FET 導通壓擺率可設定為四個分立式設置之一，從而在功率損耗、開關引起的振鈴和 EMI 方面實現設計靈活性。

電流檢測仿真功能可在 CS 引腳的輸出端產生與低側漏極電流成比例的電流。CS 引腳通過一個電阻器端接至 AGND，用于生成外部電源控制器的電流檢測輸入信號。該 CS 引腳電阻取代了與低側 GaN FET 源極串聯的傳統電流檢測電阻，顯著節省了功耗和空間。此外，由于沒有與 GaN 源極串聯的電流檢測電阻，因此可以將低側 GaN FET 散熱焊盤（SL 引腳）直接連接到 PCB 電源地，從而提高系統熱性能。

高側 GaN FET 由低側參考 INH 引腳和高側參考 GDH 引腳控制，因此 LMG2656 能夠與采用高側柵極驅動參考方案的控制器相連接。內部高側柵極驅動電平轉換器能夠可靠地將 INH 信號傳輸到高側，對器件靜態電流的影響極小，對器件啟動時間也沒有影響。

AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能通過智能開關 GaN 自舉 FET 實現。由于導通狀態 GaN 自舉 FET 沒有傳統自舉二極管的正向壓降，因此開關 GaN 自舉 FET 可提升對 BST 至 SW 之間電容器的充電程度。智能開關 GaN 自舉 FET 還避免了傳統自舉二極管的問題，即 BST 至 SW 之間電容器由于低側半橋 GaN 功率 FET 中的關斷狀態第三象限電流而過充。最后，與傳統自舉二極管相比，該自舉二極管具有低電容，并且沒有反向恢復電荷，因此可實現更高效的開關。

AUX 輸入電源寬電壓范圍與由電源控制器創建的相應寬范圍電源軌兼容。BST 輸入電源電壓范圍具有更低的電壓值，可補償自舉再充電周期之間的電容壓降。AUX/BST 空閑時的低靜態電流和快速 BST 啟動時間支持轉換器突發模式運行，這對于滿足政府輕負載效率要求至關重要。通過使用 EN 引腳將器件置于待機模式，可以進一步降低 AUX 靜態電流。

EN、INL、INH 和 GDH 控制引腳具有高輸入阻抗、低輸入閾值電壓和等于本地電源引腳電壓（AUX 或 BST 至 SW）的最大輸入電壓。因此，這些引腳可支持低電壓和高電壓輸入信號，并由低功耗輸出驅動。

LMG2656 保護功能包括低側/高側欠壓鎖定 (UVLO)、INL/INH 輸入柵極驅動互鎖、低側/高側逐周期電流限制和低側/高側過熱關斷。UVLO 特性還有助于實現轉換器良好的運行狀況。