ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
內(nèi)部自舉二極管功能通過(guò)智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 實(shí)現(xiàn)。當(dāng) GaN 自舉 FET 關(guān)斷時(shí)，GaN 自舉 FET 會(huì)在 AUX 和 BST 之間的兩個(gè)方向上阻斷電流。
自舉二極管功能在低側(cè) GaN 功率 FET 導(dǎo)通時(shí)激活，在低側(cè) GaN 功率 FET 關(guān)斷時(shí)停用。GaN 自舉 FET 在自舉二極管非活動(dòng)階段保持關(guān)斷。GaN 自舉 FET 在自舉活動(dòng)階段開(kāi)始時(shí)一次性導(dǎo)通，并被控制為理想二極管，二極管電流從 AUX 流向 BST 為 BST 至 SW 電容器充電。如果在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通后檢測(cè)到從 BST 至 AUX 的小反向電流，則在自舉活動(dòng)階段的剩余時(shí)間內(nèi)，GaN 自舉 FET 將關(guān)斷。
當(dāng) BST 至 SW 電容器在自舉活動(dòng)階段開(kāi)始時(shí)嚴(yán)重放電時(shí)，自舉二極管功能會(huì)實(shí)現(xiàn)限流功能以保護(hù) GaN 自舉 FET。如果在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通期間沒(méi)有電流限制情況，或者自舉功能在 BST 至 SW 電容器充電時(shí)超出電流限制，則在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通時(shí)間的剩余時(shí)間內(nèi)會(huì)禁用電流限制功能。電流限制功能被禁用以節(jié)省靜態(tài)電流。