ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
LMG2656 是一款 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉 FET 和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,可簡化設(shè)計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。
可編程導(dǎo)通壓擺率可實現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比,低側(cè)電流檢測仿真可降低功耗,并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到 PCB 電源地。
高側(cè) GaN 功率 FET 可通過低側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關(guān)環(huán)境中,高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動器。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降,可避免高側(cè)電源過充,并且反向恢復(fù)電荷為零。
LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間,可滿足轉(zhuǎn)換器輕負載效率要求,并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機驅(qū)動應(yīng)用。
封裝視圖