久久久99精品成人片中文字幕,久久久这里只有免费精品,亚洲中文有码字幕青青

ZHCSXV5 January 2025 LMG2652

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RFB|19

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

5.6 開(kāi)關(guān)特性

1) 符號(hào)定義：V_DS(ls) = SW 至 SL 電壓；I_DS(ls) = SW 至 SL 電流；V_DS(hs) = DH 至 SW 電壓；I_D(hs) = DH 至 SW 電流；I_SW = 流入器件的 SW 點(diǎn)電流；2) 除非另有說(shuō)明：電壓、電阻和電容以 AGND 為基準(zhǔn)；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C；V_DS(ls) = 520V；V_DS(hs) = 520V；10V ≤ V_AUX ≤ 26V；7.5V ≤ V_{BST_SW} ≤ 26V；V_EN = 5V；V_INL = 0V；V_INH = 0V；R_CS = 100Ω

參數(shù)		測(cè)試條件	典型值	最大值	單位
低側(cè) GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(ls)}	漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間	從 V_INL > V_INL,IT+ 到 I_D(ls) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = 1.8A，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	40		ns
t_d(off)(ls)	關(guān)斷延遲時(shí)間	從 V_INL < V_INL,IT– 到 V_DS(ls) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = 1.8A請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	45		ns
t_f(off)(ls)	關(guān)斷下降時(shí)間	從 V_DS(ls) > 80V 到 V_DS(ls) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = 1.8A請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	23		ns
	導(dǎo)通壓擺率	從 V_DS(ls) < 320V 到 V_DS(ls) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = 1.8A，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	80		V/ns
高側(cè) GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(hs,INH)}	漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間	從 V_INH > V_INH,IT+ 到 I_D(hs) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	45		ns
t_{d(on)(Idrain)(hs,GDH)}	漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間	從 V_GDH > V_GDH,IT+ 到 I_D(hs) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	40		ns
t_{d(off)(hs,INH)}	關(guān)斷延遲時(shí)間	從 V_INH < V_INH,IT–到 V_DS(hs) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	55		ns
t_{d(off)(hs,GDH)}	關(guān)斷延遲時(shí)間	從 V_GDH < V_GDH,IT–到 V_DS(hs) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	45		ns
t_f(off)(hs)	關(guān)斷下降時(shí)間	從 V_DS(hs) > 80V 到 V_DS(hs) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	23		ns
	導(dǎo)通壓擺率	從 V_DS(hs) < 320V 到 V_DS(hs) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = –1.8A，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)	80		V/ns
CS
t_r	上升時(shí)間	從 I_CS(src) > 0.1 × I_{CS(src)(final)} 到 I_CS(src) > 0.9 × I_{CS(src)(final)}，0V ≤ V_CS ≤ 2V，低側(cè)啟用為 1.8A 負(fù)載		30	ns
EN
	EN 喚醒時(shí)間	從 V_EN > V_IT+ 到 I_D(ls) > 10mA，V_INL = 5V	1.5		μs
BST
	從深度 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間	從 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高側(cè)對(duì) INH 或 GDH 高電平做出反應(yīng)，V_{BST_SW} 在 1μs 內(nèi)從 0V 上升到 10V	5		μs
	從淺 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間	從 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高側(cè)對(duì) INH 或 GDH 高電平做出反應(yīng)，V_{BST_SW} 在 0.5μs 內(nèi)從 5V 上升到 10V	2.6		μs