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ZHCSXV5 January 2025 LMG2652

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RFB|19

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

5.1 絕對(duì)最大額定值

除非另有說(shuō)明：電壓以 AGND 為基準(zhǔn)⁽¹⁾

			最小值	最大值	單位
V_DS(ls)	低側(cè)漏源（SW 至 SL）電壓，F(xiàn)ET 關(guān)斷			650	V
V_{DS(surge)(ls)}	低側(cè)漏源（SW 至 SL）電壓，浪涌條件，F(xiàn)ET 關(guān)斷⁽²⁾			720	V
V_{DS(tr)(surge)(ls)}	低側(cè)漏源（SW 至 SL）瞬態(tài)振鈴峰值電壓，浪涌條件，F(xiàn)ET 關(guān)斷⁽²⁾			800	V
V_DS(hs)	高側(cè)漏源（DH 至 SW）電壓，F(xiàn)ET 關(guān)斷			650	V
V_{DS(surge)(hs)}	高側(cè)漏源（DH 至 SW）電壓，浪涌條件，F(xiàn)ET 關(guān)斷⁽²⁾			720	V
V_{DS(tr)(surge)(hs)}	高側(cè)漏源（DH 至 SW）瞬態(tài)振鈴峰值電壓，浪涌條件，F(xiàn)ET 關(guān)斷⁽²⁾			800	V
	引腳電壓至 AGND	AUX	-0.3	30	V
		EN、INL、INH	-0.3	V_AUX + 0.3	V
		CS	-0.3	5.5	V
		RDRVL	-0.3	4	V
	引腳電壓至 SW	BST	-0.3	30	V
		RDRVH	-0.3	4	V
		GDH	-0.3	V_{BST_SW} + 0.3	V
I_D(cnts)(ls)	低側(cè)漏極（SW 至 SL）連續(xù)電流，F(xiàn)ET 導(dǎo)通		-7.4	受內(nèi)部限制	A
I_{D(pulse)(oc)(ls)}	過(guò)流響應(yīng)期間的低側(cè)漏極（SW 至 Sl）脈沖電流⁽³⁾			18	A
I_S(cnts)(ls)	低側(cè)源極（SL 至 SW）連續(xù)電流，F(xiàn)ET 關(guān)斷			7.4	A
I_D(cnts)(hs)	高側(cè)漏極（DH 至 SW）連續(xù)電流，F(xiàn)ET 導(dǎo)通		-7.4	受內(nèi)部限制	A
I_{D(pulse)(oc)(hs)}	過(guò)流響應(yīng)期間的高側(cè)漏極（DH 至 SW）脈沖電流⁽³⁾			18	A
I_S(cnts)(hs)	高側(cè)源極（SW 至 DH）連續(xù)電流，F(xiàn)ET 關(guān)斷			7.4	A
	正灌電流	CS		10	mA
T_J	工作結(jié)溫		-40	150	°C
T_stg	貯存溫度		-40	150	°C

(1) 超出“絕對(duì)最大額定值”運(yùn)行可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。絕對(duì)最大額定值并不表示器件在這些條件下或在建議運(yùn)行條件以外的任何其他條件下能夠正常運(yùn)行。如果超出“建議運(yùn)行條件”但在“絕對(duì)最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會(huì)完全正常運(yùn)行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。

(2) 有關(guān) GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)功能的更多信息，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)功能。

(3) 如果 GaN 功率 FET 進(jìn)入飽和狀態(tài)，它可能會(huì)自我限制以保持低于該值。