ZHCSXV5 January 2025 LMG2652
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
LMG2652 可為半橋 GaN 功率 FET 實現(xiàn)逐周期過流保護。圖 7-5 展示了逐周期過流操作。每個 INL、INH 或 GDH 邏輯高電平周期都會導通受控 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏極電流超過過流閾值電流,過流保護會在 INL、INH 或 GDH 邏輯高電平的剩余時間內(nèi)關(guān)斷 GaN 功率 FET。
逐周期過流保護功能可更大限度地減少系統(tǒng)中斷,因為不會報告該事件,并且保護功能允許 GaN 功率 FET 在每個 INL、INH 或 GDH 周期導通一次。
如電流檢測仿真 部分所述,在低側(cè) GaN 功率 FET 由低側(cè)過流保護功能關(guān)斷后,會產(chǎn)生人為 CS 引腳電流,以防止控制器進入掛起狀態(tài)。