4 引腳配置和功能

圖 4-1 RFB 封裝，19 引腳 VQFN（俯視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說(shuō)明
名稱	編號(hào)	類型⁽¹⁾	說(shuō)明
NC	1、6、9、11	NC	用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤(pán)。PCB 著陸焊盤(pán)是非阻焊層限定焊盤(pán)，不得與 PCB 上的任何其他金屬進(jìn)行物理連接。內(nèi)部未連接引腳。
INH	2	I	高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 AGND 為參考。信號(hào)在內(nèi)部通過(guò)電平轉(zhuǎn)換位移到高側(cè) GaN FET 驅(qū)動(dòng)器。在 INH 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INH 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。如果使用 GDH 引腳功能，則將此引腳短接至 AGND。
INL	3	I	低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INL 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。
CS	4	O	電流檢測(cè)仿真輸出。輸出與 GaN FET 電流成比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測(cè)電壓信號(hào)。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準(zhǔn)。此功能取代了與低側(cè) FET 源極串聯(lián)使用的外部電流檢測(cè)電阻。
SL	5，7	P	低側(cè) GaN FET 源極。低側(cè)散熱焊盤(pán)。在內(nèi)部連接到 AGND。
DH	8	P	高側(cè) GaN FET 漏極。
SW	10，15	P	高側(cè) GaN FET 源極和低側(cè) GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。高側(cè)散熱焊盤(pán)。
GDH	12	I	高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)控制輸入。以 SW 為參考。信號(hào)直接連接到高側(cè) GaN FET 驅(qū)動(dòng)器。在 GDH 到 BST 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 GDH 驅(qū)動(dòng)至高于 BST 的電平。如果使用 INH 引腳功能，則將此引腳短接至 SW。
RDRVH	13	I	短接至 SW。
BST	14	P	自舉電壓軌。高側(cè)電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內(nèi)部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個(gè)大小合適的自舉電容器。
RDRVL	16	I	短接至 AGND。
AGND	17	G	低側(cè)模擬接地。在內(nèi)部連接到 SL。
AUX	18	P	輔助電壓軌。低側(cè)電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個(gè)本地旁路電容器。
EN	19	I	使能。用于在工作模式和待機(jī)模式之間切換。待機(jī)模式降低了靜態(tài)電流，以支持轉(zhuǎn)換器輕載效率目標(biāo)。在 EN 到 AUX 之間有一個(gè)正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 EN 驅(qū)動(dòng)至高于 AUX 的電平。

(1) I = 輸入，O = 輸出，I/O = 輸入或輸出，G = 接地，P = 電源，NC = 無(wú)連接