ZHCSXV5 January 2025 LMG2652
PRODUCTION DATA
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LMG2652 是一款 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2652 通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。
與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比,低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗,并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到 PCB 電源地進(jìn)行冷卻。
高側(cè) GaN 功率 FET 可通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (GDH) 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中,高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器能夠可靠地將 INH 引腳信號(hào)傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 沒(méi)有二極管正向壓降,可避免高側(cè)電源過(guò)充,并且反向恢復(fù)電荷為零。
LMG2652 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間,可滿足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求,并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過(guò)熱關(guān)斷。
封裝視圖