ZHCSXV5 January 2025 LMG2652
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RFB|19
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.1 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)
圖 6-1 展示了用于測(cè)量 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)的電路。該電路用作雙脈沖測(cè)試儀。有關(guān)雙脈沖測(cè)試儀的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱外部基準(zhǔn)。該電路置于升壓配置中，用于測(cè)量低側(cè) GaN 開(kāi)關(guān)參數(shù)。該電路置于降壓配置中，用于測(cè)量高側(cè) GaN 開(kāi)關(guān)參數(shù)。不在每個(gè)配置（升壓中的高側(cè)和降壓中的低側(cè)）中測(cè)量 GaN FET 充當(dāng)雙脈沖測(cè)試儀二極管，并在關(guān)斷狀態(tài)第三象限導(dǎo)通模式下實(shí)現(xiàn)電感器電流循環(huán)。表 6-1 展示了每個(gè)配置的詳細(xì)信息。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試電路
| 配置 | 待測(cè)試 GaN FET | 充當(dāng)二極管的 GaN FET | SBOOST | SBUCK | VINL | VINH | VGDH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 升壓 | 低側(cè) | 高側(cè) | 閉合 | 開(kāi)路 | 雙脈沖波形 | 0V | 0V |
| 降壓 | 高側(cè) | 低側(cè) | 開(kāi)路 | 閉合 | 0V | 雙脈沖波形 | 0V |
| 降壓 | 高側(cè) | 低側(cè) | 開(kāi)路 | 閉合 | 0V | 0V | 雙脈沖波形 |
圖 6-2 展示了 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)。
GaN 功率 FET 導(dǎo)通轉(zhuǎn)換有三個(gè)時(shí)間分量：漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on)(Idrain、導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on) 和導(dǎo)通上升時(shí)間 tr(on)。請(qǐng)注意，導(dǎo)通上升時(shí)間與 VDS 80% 至 20% 下降時(shí)間相同。
GaN 功率 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換具有兩個(gè)時(shí)間分量：關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) 和關(guān)斷下降時(shí)間 tf(off)。請(qǐng)注意，關(guān)斷下降時(shí)間與 VDS 20% 至 80% 上升時(shí)間相同。關(guān)斷時(shí)間分量，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
導(dǎo)通壓擺率是根據(jù)導(dǎo)通上升時(shí)間電壓差 (240V) 測(cè)量，可獲得對(duì) EMI 設(shè)計(jì)很有用的壓擺率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù)