ZHCSNK0 december 2022 LM7480
PRODUCTION DATA
9.5.2 具有未抑制負載突降保護功能的理想二極管
如圖 9-6 所示，通過在共源極拓撲中為器件配置外部背對背 MOSFET，可實現高于 65V 的擴展過壓保護支持能力。在 VS 引腳和 GND 之間放置一個電阻 R1 和一個齊納鉗位，即可將電壓限制在 65V 以下。借助過壓保護特性，負載可免受過壓瞬態（例如未抑制的負載突降）的影響。使用 R2 和 R3 可以設置過壓保護閾值。當 OV 引腳上的電壓超過設定的 OV 閾值時，HGATE 關斷。這會導致輸入和輸出之間的電源路徑斷開。
圖 9-6 具有 200V 未抑制負載突降保護功能的理想二極管