ZHCSNK0 december 2022 LM7480
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 參數(shù)測量信息
- 9 詳細說明
- 10應(yīng)用和實現(xiàn)
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
訂購信息
10.2.4 MOSFET 選擇：阻斷 MOSFET Q1
選擇阻斷 MOSFET Q1 時，重要的電氣參數(shù)包括最大持續(xù)漏極電流 ID、最大漏源電壓 VDS(MAX)、最大漏源電壓 VGS(MAX)、通過體二極管的最大源極電流以及漏源導(dǎo)通電阻 RDSON。
最大持續(xù)漏極電流 ID 額定值必須超過最大持續(xù)負載電流。
最大漏源電壓 VDS(MAX) 必須足夠高，以便承受應(yīng)用中所見的最高差分電壓。這包括所有汽車瞬態(tài)事件和任何預(yù)期的故障情況。建議使用 VDS 額定電壓為 60V 的 MOSFET 以及單個雙向 TVS，或使用 VDS 最大額定值為 40V 的 MOSFET 以及兩個背對背連接在輸入端的單向 TVS。
LM7480 可驅(qū)動的最大 VGS 為 14V，因此應(yīng)選擇 VGS 最小額定值為 15V 的 MOSFET。如果選擇了 VGS 額定值小于 15V 的 MOSFET，則可以使用齊納二極管將 VGS 鉗位到安全電平，但這會導(dǎo)致 IQ 電流增加。
為了減少 MOSFET 傳導(dǎo)損耗，應(yīng)盡可能降低 RDS(ON)，但根據(jù)低 RDS(ON) 選擇 MOSFET 可能并非總能如愿。更高的 RDS(ON) 將在更低反向電流級別為 LM7480 反向比較器提供更高電壓信息。隨著 RDS(ON) 的增加，反向電流檢測效果更好。選擇一個在最大電流時正向壓降小于 50mV 的 MOSFET 是一個很好的起點。
為了對電池電源電壓上的交流疊加紋波進行有源整流，必須選擇 Q1 的柵源電荷 QGS 來滿足所需的交流紋波頻率。每個周期用于有源整流的最大柵源電荷 QGS（在 VGS 等于 4.5V 時）為
其中 1.3mA 是 7V VDGATE-VA 時的最小電荷泵電流，F(xiàn)AC_RIPPLE 是疊加在電池上的交流紋波的頻率，QGS_MAX 是制造商數(shù)據(jù)表中指定的 6V VGS 時的 QGS 值。對于 FAC_RIPPLE = 30KHz 時的有源整流，QGS_MAX = 43nC。
根據(jù)設(shè)計要求選擇了 BUK7Y4R8-60E MOSFET，其額定值為：
- 60V VDS(MAX) 和 ±20V VGS(MAX)
- RDS(ON) 在 5V VGS 下的典型值為 5.0mΩ，在 10V VGS 下的額定值為 2.9mΩ
- MOSFET QGS 17.4nC
應(yīng)根據(jù) MOSFET 的預(yù)期最大功率耗散來考慮 MOSFET 的熱阻，確保結(jié)溫 (TJ) 得到良好控制。