ZHCSNK0 december 2022 LM7480
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 參數(shù)測量信息
- 9 詳細(xì)說明
- 10應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
訂購信息
10.5.1 瞬態(tài)保護(hù)
當(dāng)外部 MOSFET 在過壓切斷、反向電流阻斷、EN/UVLO 導(dǎo)致電流中斷等條件下關(guān)斷時，輸入線路電感會在輸入端產(chǎn)生正電壓尖峰，而輸出電感會在輸出端產(chǎn)生負(fù)電壓尖峰。電壓尖峰（瞬變）的峰值振幅取決于與器件輸入或輸出串聯(lián)的電感值。如果未采取措施解決此問題，這些瞬變可能會超過器件的絕對最大額定值。
解決瞬變的典型方法包括：
- 最大限度減少進(jìn)出器件的引線長度和電感。
- 使用較大的 PCB GND 平面。
- 在輸出端和 GND 使用肖特基二極管來吸收負(fù)尖峰。
- 使用低容值陶瓷電容器（C(IN) 低至約 0.1μF）來吸收能量并抑制瞬變。
輸入電容的近似值可通過公式 8 進(jìn)行估算。
方程式 9. 
其中
- V(IN) 是標(biāo)稱電源電壓
- I(LOAD) 是負(fù)載電流
- L(IN) 等于在源極中觀察到的有效電感
- C(IN) 是輸入端存在的電容
某些應(yīng)用可能需要額外的瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)，以防止瞬變超過器件的絕對最大額定值。這些瞬變可能會在 EMC 測試（例如汽車 ISO7637 脈沖）期間發(fā)生。
采用可選保護(hù)元件（陶瓷電容器、TVS 和肖特基二極管）的電路實(shí)現(xiàn)方案如圖 10-29 所示。
* 抑制瞬態(tài)所需的可選元件
圖 10-29 采用可選保護(hù)元件的 LM7480 電路實(shí)現(xiàn)方案