ZHCSNK0 december 2022 LM7480
PRODUCTION DATA
9.3.2.1 反向電池保護（A、C、DGATE）
A、C、DGATE 由理想二極管級組成。將外部 MOSFET 的源極連接到 A，將漏極連接到 C，將柵極連接到 DGATE。LM7480x 具有低至 –65V 的集成反向輸入保護功能。
啟用 DGATE 驅動器之前，必須滿足以下條件：
- EN/UVLO 引腳電壓必須大于指定的輸入高電壓。
- CAP 至 VS 電壓必須大于欠壓鎖定電壓。
- A 引腳上的電壓必須大于 VA POR 上升閾值。
- VS 引腳上的電壓必須大于 VS POR 上升閾值。
在 LM74800 中，在 A 引腳和 C 引腳之間持續監測 MOSFET 兩端的壓降，并根據需要調節 DGATE 至 A 電壓，以將正向壓降穩定在 10.5mV（典型值）。該閉環調節方案可在反向電流事件中支持 MOSFET 平穩關斷，并確保零直流反向電流。該方案可確保在慢速輸入電壓斜降測試期間實現穩健的性能。除了線性穩壓放大器方案外，LM74800 還集成了快速反向電壓比較器。當 A 和 C 之間的壓降達到 V(AC_REV) 閾值時，DGATE 在 0.5μs（典型值）內變為低電平。這種快速反向電壓比較器方案可確保在輸入微短路等快速輸入電壓斜降測試期間實現穩健性能。當 A 和 C 之間的電壓在 2.8μs（典型值）內達到 V(AC_FWD) 閾值時，外部 MOSFET 重新導通。
在 LM74801 中，反向電流阻斷僅通過快速反向電壓比較器實現。當 A 和 C 之間的壓降達到 V(AC_REV) 閾值時，DGATE 在 0.5μs（典型值）內變為低電平。這種快速反向電壓比較器方案可確保在輸入 LM7480 微短路等快速輸入電壓斜降測試期間實現穩健性能。當 A 和 C 之間的電壓在 2.8μs（典型值）內達到 V(AC_FWD) 閾值時，外部 MOSFET 重新導通。
對于僅限理想二極管的設計，如圖 9-2 所示連接 LM7480x。
圖 9-2 配置 LM7480x-Q1 以僅用于理想二極管