ZHCSIK4B January 2017 – November 2018 DRV8886AT
PRODUCTION DATA.
應使用一個推薦電容值為 0.01µF 且額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容將 VM 引腳旁路至 GND。該電容應盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的跡線或通過接地平面與器件 GND 引腳連接。
必須使用額定電壓為 VM 的大容量電容將 VM 引腳旁路至接地。該組件可以是電解電容。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容。建議使用一個電容值為 0.022µF、額定電壓為 VM 的電容。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容。建議使用一個電容值為 0.22µF、額定電壓為 16V 的電容。將此組件盡可能靠近引腳放置。
使用額定電壓為 6.3V 的低 ESR 陶瓷電容將 AVDD 和 DVDD 引腳旁路至接地。將旁路電容盡可能靠近引腳放置。