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ZHCSOS2B October 2022 – July 2024 DRV8411A

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|16
RTE|16

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RTE|16
- QFND525B

訂購信息

6.5 電氣特性

1.65V ≤ V_VM ≤ 11V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有說明）。典型值是在 T_J = 27 °C 且 V_VM = 5V 時(shí)。

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源 (VM)
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	V_VM = 5V，T_J = 27°C		4	40	nA
I_VM	VM 活動(dòng)模式電流	xIN1 = 3.3V，xIN2 = 0V，V_VM = 5V		2.3	4	mA
t_WAKE	開通時(shí)間	睡眠模式到工作模式延遲			100	μs
t_AUTOSLEEP	自動(dòng)睡眠關(guān)斷時(shí)間	工作模式到自動(dòng)睡眠模式延遲	0.7		1.5	ms
邏輯電平輸入（AIN1、AIN2、BIN1、BIN2）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.4	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.45		5.5	V
V_{HYS_logic}	邏輯輸入遲滯		50			mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_xINx = 0V	-1		1	μA
I_IH	輸入邏輯高電平電流	V_xINx = 5V	20		70	μA
R_PD	輸入下拉電阻			100		kΩ
t_DEGLITCH	輸入邏輯抗尖峰			50		ns
開漏輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電平電壓	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	輸出邏輯高電平電流	V_OD = 5V	-1		1	μA
驅(qū)動(dòng)器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
R_{HS_DS(ON)}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 0.2A		200		mΩ
R_{LS_DS(ON)}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = -0.2A		200		mΩ
V_SD	體二極管正向電壓	I_OUTx = -0.5A		1		V
t_RISE	輸出上升時(shí)間	V_OUTx 上升，從 V_VM 的 10% 上升到 90%，V_VM = 5V		100		ns
t_FALL	輸出下降時(shí)間	V_OUTx 下降，從 V_VM 的 90% 下降到 10%，V_VM = 5V		50		ns
t_PD	輸入至輸出傳播延遲	輸入超過 0.8V 達(dá)到 V_OUTx = 0.1×V_VM，I_OUTx = 1A		600		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間			400		ns
電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)
A_IPROPI	電流鏡比例因數(shù)			200		μA/A
A_ERR	電流鏡總誤差	I_OUT = 1A，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ V_VM ≤ 11V	-6		6	%
A_ERR	電流鏡總誤差	I_OUT = 1A，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ V_VM ≤ 3.3V	-9		6	%
t_OFF	電流調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間			20		μs
t_BLANK	電流調(diào)節(jié)消隱時(shí)間			1.8		μs
t_DELAY	電流檢測(cè)延遲時(shí)間			2		μs
t_DEG	電流調(diào)節(jié)抗尖峰脈沖時(shí)間			1		μs
保護(hù)電路
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源上升			1.6	V
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源下降	1.3			V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO 遲滯	上升至下降閾值		100		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時(shí)間	V_VM 下降至 OUTx 已禁用		10		μs
I_OCP	過流保護(hù)跳變點(diǎn)		4			A
t_OCP	過流保護(hù)抗尖峰脈沖時(shí)間			4.2		μs
t_RETRY	過流保護(hù)重試時(shí)間			1.6		ms
T_TSD	熱關(guān)斷溫度		153		193	°C
T_HYS	熱關(guān)斷遲滯			18		°C