ZHCSOS2B October 2022 – July 2024 DRV8411A
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
如果內(nèi)核溫度超過安全限值,則會禁用 H 橋中的所有 FET 并將 nFAULT 引腳置為低電平。一旦內(nèi)核溫度下降到安全水平,就將自動恢復(fù)運(yùn)行。
如果該器件有任何進(jìn)入熱關(guān)斷 (TSD) 狀態(tài)的傾向,則表明功耗過高、散熱不足或環(huán)境溫度超出了建議運(yùn)行條件。