由于 DRV8411A 器件已集成了能夠驅動大電流的功率 MOSFET,因此,應特別注意布局設計和外部元件放置。下面提供了一些設計和布局指南。有關布局建議的更多信息,請參閱應用手冊電機驅動器電路板布局最佳實踐。
- VM 至 GND 應使用低 ESR 陶瓷電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類型的電容器。
- VM 電源電容器應放置在盡可能靠近器件的位置,以盡可能減少環路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器,但也應盡可能靠近器件放置,以最大限度減小回路電感。
- VM、xOUTx 和 GND 引腳承載著從電源傳輸到輸出,然后重新傳回到接地的大電流。對于這些跡線,應使用厚金屬布線(如果可行)。
- GND 應直接連接到 PCB 接地平面上。
- 應通過熱過孔將器件散熱焊盤連接到 PCB 頂層接地平面和內部接地平面(如果可用),以獲得最強的 PCB 散熱能力。
- 應盡可能擴大連接到散熱焊盤的銅平面面積,以確保獲得最佳散熱效果。