ZHCSOS2B October 2022 – July 2024 DRV8411A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
- 7 典型特性
- 8 詳細說明
- 9 應用和實現
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- PWP|16
- RTE|16
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- RTE|16
訂購信息
8.4.2.1 電流檢測
IPROPI 引腳 AIPROPI 和 BIPROPI 輸出與流經 H 橋中的低側功率 MOSFET 的電流成正比并經過 AIPROPI 調節的模擬電流。可以使用方程式 1 計算出 IPROPI 輸出電流。只有當電流在低側 MOSFET 中從漏極流向源極時，方程式 1 中的 ILSx 才有效。如果電流從源極流向漏極或流經體二極管，則該通道的 ILSx 值為零。例如，如果電橋處于制動、慢速衰減狀態，則 IPROPI 外的電流僅與其中一個低側 MOSFET 中的電流成正比。
“電氣特性”表中的 AERR 參數是與 AIPROPI 增益相關的誤差。它表示 IOUT 電流中增加的偏移量誤差和增益誤差帶來的綜合影響。
電機電流由低側 FET 上的內部電流鏡架構測得，而無需使用外部功率檢測電阻，如圖 8-5 所示。電流鏡架構允許在驅動和制動/低側慢速衰減期間檢測電機繞組電流，從而在典型雙向有刷直流電機應用中持續監測電流。在滑行模式下，電流是續流電流，無法被感測到，原因是電流從源極流向漏極。但是，可以在驅動或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅動器，并在再次切換回滑行模式之前測量此電流，從而對電流進行采樣。
圖 8-5 集成電流感測應將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (RIPROPI) 以接地，從而利用 IIPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產生一個成比例電壓 (VIPROPI)。這樣即可使用標準模數轉換器 (ADC) 將負載電流作為 RIPROPI 電阻器兩端的壓降進行測量。可以根據應用中的預期負載電流來調節 RIPROPI 電阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整個量程。此外，DRV8411A 器件還采用了一個內部 IPROPI 電壓鉗位電路，可相對于 VREF 引腳上的 VVREF 限制 VIPROPI，并在發生輸出過流或意外高電流事件時保護外部 ADC。
TI 建議在 VVM 與 ADC 要測量的最大 VIPROPI 電壓 (VIPROPI_MAX) 之間設計至少 1.25V 的余量。例如，如果 VVM 為 4.55V 至 11V，則 VIPROPI_MAX 可高達 3.3V。
可以使用方程式 2 計算對應于輸出電流的 IPROPI 電壓。
IPROPI 輸出帶寬受內部電流檢測電路的檢測延遲時間 (tDELAY) 限制。此時間是指從低側 MOSFET 啟用命令（來自 INx 引腳）到 IPROPI 輸出準備就緒這兩個時間點之間的延遲。
在 H 橋 PWM 信號中，如果器件在驅動和慢速衰減（制動）之間交替切換，則感測電流的低側 MOSFET 會持續導通，但感測延遲時間對 IPROPI 輸出不會產生任何影響。如果 INx 引腳上的命令禁用低側 MOSFET（根據節 8.4.1中的邏輯表），則 IPROPI 輸出將與輸入邏輯信號一同禁用。雖然低側 MOSFET 在根據器件壓擺率（在“電氣特性”表中以 tRISE 時間表示）禁用時仍可能傳導電流，但 IPROPI 并不表示此關斷時間內低側 MOSFET 中的電流。