ZHCSOS2B October 2022 – July 2024 DRV8411A
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
器件中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻或 RDS(ON) 中耗散的直流功率決定。PWM 開關損耗會導致耗散額外的功率,具體取決于 PWM 頻率、上升和下降時間以及 VM 電源電壓。
一個 H 橋的直流功率耗散可通過方程式 7 大致估算。

其中
RDS(ON) 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發熱,功率耗散也會增大。在估算最大輸出電流時必須考慮這一點。