ZHCSVS7 April 2024 DRV8215
PRODUCTION DATA
表 8-14 列出了 DRV8215_CONFIG 寄存器的存儲器映射寄存器。表 8-14中未列出的所有寄存器偏移地址都應視為保留的位置，并且不應修改寄存器內容。
| 偏移 | 首字母縮寫詞 | 寄存器名稱 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 9h | CONFIG0 | 配置寄存器 - 故障 (1/5)。 | 節 8.2.1 |
| Ah | CONFIG1 | 配置寄存器 - (2/5)。 | 節 8.2.2 |
| Bh | CONFIG2 | 配置寄存器 - (3/5)。 | 節 8.2.3 |
| Ch | CONFIG3 | 配置寄存器 - (4/5)。 | 節 8.2.4 |
| Dh | CONFIG4 | 配置寄存器 - (5/5)。 | 節 8.2.5 |
復雜的位訪問類型經過編碼可適應小型表單元。表 8-15 展示了適用于此部分中訪問類型的代碼。
| 訪問類型 | 代碼 | 說明 |
|---|---|---|
| 讀取類型 | ||
| R | R | 讀取 |
| 寫入類型 | ||
| W | W | 寫入 |
| 復位或默認值 | ||
| -n | 復位后的值或默認值 | |
表 8-16 展示了 CONFIG0。
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啟用/禁用各種故障。
| 位 | 字段 | 類型 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | EN_OUT | R/W | 0h | 0b：所有驅動器 FET 均為高阻態。 1b：啟用驅動器輸出。 |
| 6 | EN_OVP | R/W | 1h | 啟用 OVP 特性。默認為 1b，上電后可設置為 0b 以禁用 OVP 特性。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.7.1。 |
| 5 | EN_STALL | R/W | 1h | 啟用失速檢測特性。通過將該位設置為 0b，可禁用失速檢測特性。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.5下的 EN_STALL 配置。 |
| 4 | VSNS_SEL | R/W | 0h | 0b：使用模擬低通濾波器對輸出電壓求平均值以進行電壓調節。有關模擬低通濾波器的進一步說明，請參閱 OUT_FLT。0b 是建議值。 1b：使用數字低通濾波器進行電壓調節。該選項將占空比與 VM 相乘，得到輸出電壓。 |
| 3 | VM_GAIN_SEL | R/W | 0h | 選擇電壓范圍，以便在電壓調節過程中獲得更好的分辨率，以實現較小電壓。 0b：電壓范圍為 0V 至 16V。 1b：電壓范圍為 0V 至 4V。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.6.2.1。 |
| 2 | RSVD | R/W | 0h | 保留。 |
| 1 | CLR_FLT | R/W | 0h | 當設置為 1b 時，清除所有鎖存故障。CLR_FLT 將自動復位。 |
| 0 | DUTY_CTRL | R/W | 0h | 0b：用戶無法手動編程占空比。 1b：當速度調節被禁用且 DUTY_CTRL 位為 1b 時，用戶可以將所需的 PWM 占空比寫入 PROG_DUTY 位。占空比范圍為 0% (000000b) 至 100% (111111b)。 |
表 8-17 展示了 CONFIG1。
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配置浪涌時間 (1/2)。
| 位 | 字段 | 類型 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | TINRUSH_LSB | R/W | 0h | 16 位總輸出中的下半部分 8 位輸出，用于失速檢測的浪涌時間消隱。設置失速檢測方案忽略電機浪涌電流的時間量。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.6.3.1。 |
表 8-18 展示了 CONFIG2。
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配置浪涌時間 (2/2)。
| 位 | 字段 | 類型 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | TINRUSH_MSB | R/W | 0h | 16 位總輸出中的上半部分 8 位輸出，用于失速檢測的浪涌時間消隱。設置失速檢測方案忽略電機浪涌電流的時間量。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.6.3.1。 |
表 8-19 展示了 CONFIG3。
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啟用/禁用 IMODE、SMODE 和消隱時間等各種器件模式。
| 位 | 字段 | 類型 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | IMODE | R/W | 1h | 決定電流調節的行為。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.4.2下的 IMODE 配置。 |
| 5 | SMODE | R/W | 1h | 對器件對失速情況的響應進行編程。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.5下的 SMODE 配置。 |
| 4 | INT_VREF | R/W | 0h | 如果設置為 1b，則在內部將 VREF 電壓設置為 500mV。如果 INT_VREF 設置為 0b，則電壓不固定。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.5。 |
| 3 | TBLANK | R/W | 0h | 設置電流檢測消隱時間。 如果設置為 0b，則 tBLANK=1.8μs。 如果設置為 1b，則 tBLANK=1.0μs。 |
| 2 | TDEG | R/W | 0h | 設置電流調節和失速檢測抗尖峰脈沖時間。 如果設置為 0b，則 tDEG=2μs。 如果設置為 1b，則 tDEG=1μs。 |
| 1 | OCP_MODE | R/W | 1h | 對器件對過流事件的響應進行編程。 如果設置為 0b，則器件將在發生 OCP 事件時鎖存。可以使用 CLR_FLT 清除。 如果設置為 1b，則發生 OCP 事件時，器件會在 tretry 時間后自動重試。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.7.1。 |
| 0 | TSD_MODE | R/W | 1h | 對器件對過熱事件的響應進行編程。 如果設置為 0b，則器件將在發生 TSD 事件時鎖存。 如果設置為 1b，則器件將在 TJ<TTSD–THYS 時自動重試。 |
表 8-20 展示了 CONFIG4。
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配置報告寄存器，如 RC_REP 和 STALL_REP。
| 位 | 字段 | 類型 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | RSVD | R/W | 0h | 保留。 |
| 5 | STALL_REP | R/W | 1h | 決定是否在 nFAULT 引腳上報告失速。 當設置為 1b 時，只要檢測到失速，nFAULT 就會處于低電平。 當設置為 0b 時，不會在 nFAULT 輸出上報告失速。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.5。 |
| 4 | CBC_REP | R/W | 1h | 當 REG_CTRL 設置為 01b 時，器件進入逐周期電流調節模式。在該模式下，每當 H 橋進入內部電流調節狀態時，器件就會發出指示。CBC_REP 位用于確定逐周期模式下器件輸出的行為。 1b：當 H 橋進入內部電流調節狀態時，nFAULT 被拉至低電平。 0b：當 H 橋進入內部電流調節狀態時，nFAULT 不被拉至低電平。 有關進一步說明，請參閱節 7.3.4.2.2。 |
| 3 | PMODE | R/W | 1h | 在相位/使能模式和 PWM 模式之間切換。 0b：PH/EN。 1b：PWM。 |
| 2 | I2C_BC | R/W | 0h | 決定 H 橋控制接口。 0b：由 INx 引腳配置電橋控制。 1b：由 I2C 位 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 配置電橋控制。 |
| 1 | I2C_EN_IN1 | R/W | 0h | 用于內部電橋控制的使能/PWM 輸入位 1。當 I2C_BC=1b 時使用。當 I2C_BC=0b 時忽略。 |
| 0 | I2C_PH_IN2 | R/W | 0h | 用于內部電橋控制的相位/PWM 輸入位 2。當 I2C_BC=1b 時使用。當 I2C_BC=0b 時忽略。 |