ZHCSVS7 April 2024 DRV8215
PRODUCTION DATA
每個(gè) FET 上的模擬電流限制電路都將通過(guò)在內(nèi)部限制柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)限制流經(jīng) FET 的電流。如果此模擬電流限制的持續(xù)時(shí)間超過(guò) OCP 抗尖峰脈沖時(shí)間 (tOCP)，則 H 橋中的所有 FET 將禁用，F(xiàn)AULT 和 OCP 位將變?yōu)?1b，并且 nFAULT 引腳將被拉至低電平。
OCP_MODE 位對(duì)器件對(duì)過(guò)流事件的響應(yīng)進(jìn)行編程。該器件可以鎖存或執(zhí)行自動(dòng)重試，以便從過(guò)流事件中恢復(fù)。
在自動(dòng)重試模式下，MOSFET 會(huì)禁用，nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續(xù)時(shí)間內(nèi)被驅(qū)動(dòng)為低電平。經(jīng)過(guò) tRETRY 時(shí)間后，MOSFET 會(huì)根據(jù)控制輸入重新啟用。如果過(guò)流條件仍然存在，則會(huì)重復(fù)此周期，否則器件將恢復(fù)正常運(yùn)行。下圖對(duì)此進(jìn)行了說(shuō)明 -
在閉鎖模式下，MOSFET 將保持禁用狀態(tài)，nFAULT 引腳將被驅(qū)動(dòng)為低電平，直到通過(guò) CLR_FLT 命令或通過(guò)對(duì) VM 電源進(jìn)行下電上電使器件復(fù)位。
在高側(cè)和低側(cè) FET 上單獨(dú)檢測(cè)到過(guò)流情況。這意味著接地短路、電源短路或跨電機(jī)繞組短路都會(huì)導(dǎo)致過(guò)流關(guān)斷。過(guò)流保護(hù)不使用用于電流調(diào)節(jié)的電流檢測(cè)電路，因此無(wú)論 VREF 和 IPROPI 設(shè)置如何，它都能正常工作。