ZHCSVS7 April 2024 DRV8215
PRODUCTION DATA
每個 FET 上的模擬電流限制電路都將通過在內(nèi)部限制柵極驅(qū)動器來限制流經(jīng) FET 的電流。如果此模擬電流限制的持續(xù)時間超過 OCP 抗尖峰脈沖時間 (tOCP)，則 H 橋中的所有 FET 將禁用，F(xiàn)AULT 和 OCP 位將變?yōu)?1b，并且 nFAULT 引腳將被拉至低電平。
OCP_MODE 位對器件對過流事件的響應進行編程。該器件可以鎖存或執(zhí)行自動重試，以便從過流事件中恢復。
在自動重試模式下，MOSFET 會禁用，nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續(xù)時間內(nèi)被驅(qū)動為低電平。經(jīng)過 tRETRY 時間后，MOSFET 會根據(jù)控制輸入重新啟用。如果過流條件仍然存在，則會重復此周期，否則器件將恢復正常運行。下圖對此進行了說明 -
在閉鎖模式下，MOSFET 將保持禁用狀態(tài)，nFAULT 引腳將被驅(qū)動為低電平，直到通過 CLR_FLT 命令或通過對 VM 電源進行下電上電使器件復位。
在高側(cè)和低側(cè) FET 上單獨檢測到過流情況。這意味著接地短路、電源短路或跨電機繞組短路都會導致過流關斷。過流保護不使用用于電流調(diào)節(jié)的電流檢測電路，因此無論 VREF 和 IPROPI 設置如何，它都能正常工作。